用mos 電容,使用tsmc 0.18um的製程

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MOS的電容值可以用oxide的厚度,面積以及介電係數算出來,
+ c+ B' h  F# g! I7 G7 b9 Woxide厚度在spice model內可找得到, 通常是tox這個參數,
但要注意MOS的電容值會隨著偏壓改變,
可用軟體模擬出C-V曲線,
Btw, 0.18um製程中應該有提供accumulation mode varactor這種元件,
也就是長在NWELL裡的NMOS,
, q# S* S, Q" O7 G  J* Lspice model文件中應該也有這種元件詳細C-V曲線以及RF model,
使用這種元件並不需要多加光罩,
建議你可以查ㄧ下spice model的說明文件