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光耦合器的使用歷史已超過40年,由於本質上受限於過時的LED技術,導致其輸出訊號對於輸入電流、溫度和老化的變動非常敏感。輸出變化將降低光耦合器生命週期中的運行效能和可靠性,因此增加設計的複雜度,縮短最終產品的壽命。受其老化的影響,光耦合器的使用壽命通常僅約10年,對於想要開發具有20年以上產品品質保證的工業系統設計人員來說是非常嚴重的問題。
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) D0 t; L$ a/ ]$ R# }) ZSilicon Labs公司Si87xx光耦替代元件採用基於CMOS技術的專利隔離架構,完全消除基於LED的光耦合器特有的敏感性。基於CMOS製程的電容隔離技術可提供的平均故障間隔時間(MTTF)是光耦合器的10倍以上。透過提供更長的產品壽命和更高的可靠性,Si87xx隔離器允許系統製造商支援更長的終端產品保證期,並降低維修或更換產品的成本。特別是在輸入導通電流時,極小的變化特性簡化系統設計,因此在使用Si87xx元件時,工程師不再需要考慮老化對設備產生的影響。
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1 W. ? C9 G, O v0 ~Si87xx系列產品基於Silicon Labs公司業界領先的電容隔離技術,隔離等級高達5kV,並完全符合IEC 60747-5-2規範,包括10kV電湧保護。該系列產品滿足IEC 60950-1、61010-1、60601-1(增強絕緣)的要求,並提供高達1200V工作電壓和超過60年的使用壽命。 $ B Y3 y6 ?1 l, {4 X2 b
2 J; l/ y7 P; r& P3 ]除了其特有對於溫度、老化和輸入電流影響的抗干擾能力之外,Si87xx隔離器還具有比其他光耦合器更顯著的效能優勢:
8 i1 R# Q& _ Y% d+ n5 o, s/ {) P 與光耦合器相比,Si87xx元件輸入接通電流降低50%、輸出靜態電流降低10倍,可有效降低整體系統功耗。
- @1 \7 k2 J0 ?6 ?* i 與光耦合器相比,Si87xx數位隔離架構具有極小的寄生電容,可提升共模瞬變抑制能力(CMTI)高達75%,因此可提高系統資料的完整性。而基於LED架構的光耦合器存在高寄生電容,其CMTI較差,因此可能導致隔離器傳遞錯誤的資料。
8 `6 H b, F" C n' l Si87xx隔離器優於光耦合器的關鍵在於時序規範,如傳播延遲和脈衝寬度失真,因此可實現更快、更準確並且更高效的資料傳輸。 |
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