BJT 照 EMMI 會出現亮點嗎??

hawka

請問照EMMI (微光顯微鏡) 時
2 t3 ^% s5 t- r- c! n* i在工作中的 BJT device 一定會出現亮點嗎??
(即使該BJT電流只有 數 uA)

vjc5

不會, 應該要電流過大(mA)等級
/ }9 R/ A! x9 c! b+ h: _才看的到,  換言之有亮點必須區域中電流大於其他地方就看的到

阿光

1. 一般 1mA 以下會考慮用 emmi，如果是 1mA 以上，偏壓方式又許可，有方便好用的 LCD，為何不用，當然 FA house 的 LCD 不佳，不建議使用，這裡指的 LCD 是 foundry 裡的 FA Lab
( L! K3 a. `, Y3 K3 }: N2. emmi 原理為熱載子或電子電洞結合， BJT 發光機制屬於後者，焉有不發光之理，老實講，只要 1uA 以上就不要放棄
! V$ c! w" Q, n" q: Z, V+ x3. 當然電流越小，做出亮點機率越低，這還得看你的 IC，如果你的電路單純，其他電路漏電也很低，那麼就有機會做到，如果其他地方漏電很大，亮點就會被忽略，注意，emmi 會主動式發光，要發光的話它一定會發光，只是操作者在操作機台時，他會調整顯示光的敏感度，如果整個電路發光情形很普遍或嚴重，那麼他自然的會把敏感度調低，因此若是低電流所導致的發光就會被削減了。
: p) Q2 l; V$ q9 B4. FA house現在有出 InGaAs detector，經實務比較，確實有很高的偵測率，對於 uA order的電流，有更高的機會偵測，只是這時就要考慮 cost 與值不值得做的問題了

hawka

我目前的整個耗電為 100uA ~ 2mA
, c7 W/ d& K4 F5 ?而整個面積為 18000umx950um 而BJT 僅 100x100
) E! |, t( s% _' e" \% \1 _而照整個chip (p-sub 那面) 看得到有某些區塊發亮
再zoom in 進去照, 發現是BJT發亮
因BJT僅 數uA, 故想請教各位大大,
BJT的junction 電流是否會被EMMI顯示出來??

4 z, O/ e0 b! b) I9 x4 c8 O0 }謝謝

阿光

當 IC 照 emmi 出現多個亮點時，就必須請 designer 判斷亮點電路是否在操作時為開啟狀態，進而判斷亮點是否有意義，並不是說有亮點就代表異常，一般人以為只要 MOS 開啟就會產生亮點，其實並不全然正確，可以確定的是，當 Vg 約等於二分之一 Vdd 時，熱載子效應增加，substrate 電流也增加，此時有極高機會照到亮點，你的 IC 電流雖大，但如果 MOS 的 VDD 等於 VG，反而看不到亮點，反而是屬於電子電洞結合機制的 BJT 會看到亮點，即便只有幾 uA，尤其你是用 backside 偵測，偵測敏感度更形提高。不知你是否是用 CCD detector，如果是，看看它偵測波長的範圍，你就可以發現到 CCD 涵蓋的波長中，電子電洞結合的發光機制是它主要的偵測來源。總而言之，只要你的BJT是在啟動狀態，當然就可能會有亮點。

hawka

根據該公司的網頁, 應該是CCD detector
  n$ `# f' g( V0 d4 J* ?( Y不過該公司說明 "假錯" 是當 BJT 在飽和區
. i7 e% Y* K! X; z0 U而我的電路設計 BJT應該在 active region, 這樣也會嗎??
9 B1 V' ?3 \, L: T$ s另外只有九宮格中間的BJT有亮點, 周邊八個BJT無亮點(或說被濾掉了)
2 g8 }9 O. M% d: D(周邊八個BJT的電流為中間BJT的1/8, 我推測應該有影響吧)
! h9 N! X% I1 r謝謝阿光熱心的指導