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[問題求助] 加入T18 ESD IOPAD之後 VSSE的gnd 會短路到所有port

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1#
發表於 2023-8-2 02:43:39 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
大家好
$ h4 ?/ j7 U( I& M% f; E7 T9 I+ P: ]  X" ]* v/ \; r
在完成晶片的core之後要打上PAD去做靜電防護, s# A) i) Y4 J" c0 t1 x
" y* R: q1 P- Q/ c9 A
但是我的VSSE PAD的接地端卻短路到所有AIN_18的port
$ \2 V' E3 Z7 s* I5 i) P  @
$ F5 K# ?1 j/ O- c% u' V造成LVS驗證顯示短路
" j. [" ^7 t8 |0 C( p  T, W
. j3 \6 j8 T2 }; a因為用的是TSRI給的library$ _8 o' n0 }3 |8 _  q# S2 V8 p
1 d/ w' y5 u, ?3 N
發現他們的AIN_18接口好像會直接短路到ESD的gnd @@(從layout 的佈局圖匡起來的虛線判斷的
% y$ Q# V( W. _# e) g) M; h+ f! k$ c2 y. G2 `7 B( s9 m$ k
而且製程檔中給的一顆範例layout我也跑不過LVS QAQ- X/ g' I8 D* A# U

+ K8 P3 G' z& ?1 G& l6 |; b是stream in 的時候就有問題了嗎?
* d; v6 k# l; ]+ H" _% |: d6 \: B1 c6 k/ x& [
請問有人有遇過類似的問題嗎 謝謝大家
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