8/5~7 美國加州快閃記憶體高峰會

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東芝將在快閃記憶體高峰會上展示最新NAND和儲存產品

/ j8 x0 j# r3 u  K(20140806 12:47:45)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporatioo) (TOKYO: 6502)今天宣布，該公司將在快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND快閃記憶體和儲存產品。快閃記憶體高峰會是全球最大的快閃記憶體討論會，將於8月5至7日在美國加州聖塔克拉拉市的聖塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。
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: x# z, A& R. u5 u1 [' M快閃記憶體高峰會的展覽環節將在會議的最後兩天8月6日和7日舉行，東芝將在504號攤位布展。

7 x" b9 c# \; c$ h  i& v: P主要展品

7 w/ Z2 c; Q1 c1. 企業級固態硬碟(SSD)：

0 r6 K7 i/ `$ {+ M! j0 \# K, W企業級讀取密集型SSD PX03SN/HK3R系列
" k2 ]0 T9 Y4 ~, f" e( o9 d高讀取率IOPS伺服器PX03SN系列展示
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2. 用戶端SSD:

高階用戶端SSD HG6系列
9 w# _1 u$ T) o2 W% u+ n1 q8 a3 VTLC[1] NAND嵌入式用戶端SSD SG4系列（參考展覽品）

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3. 行動記憶體：
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* j$ P- f6 W! {嵌入式儲存記憶體解決方案：UFS[2]、e-MMCTM
記憶體卡：SD記憶體卡、USB快閃記憶體
  y& o& h0 V2 q5 h8 k( D) L& ^, U無線區域網路(LAN) SDHC記憶體卡：FlashAirTM
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- I/ r  s- T, V% D4. 企業級&工業級記憶體：

SLC[3] NAND、BENANDTM [4]、15奈米製程NAND晶片
; a: J4 C+ C" Q" R% y0 k- {
" ^* |3 S+ i+ C7 g$ @% A  ?注釋
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[1] TLC：三層儲存單元（每單元3位元的NAND資料快閃記憶體類型）
[2] UFS：通用快閃記憶體
! ^7 w" w, n0 P% o& ^' E[3] SLC：單層單元
[4] BENANDTM：內建型ECC NAND