Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
查看: 25155|回復: 25
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] [問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS

  [複製鏈接]
1#
發表於 2014-7-30 15:02:50 | 顯示全部樓層
跟bias條件有關
0 V, I5 U& r; q, l& Q# c! mW/L=40000, Id=10uA, PMOS是bias在weak inversion+ [# G& s6 x; X5 p4 C4 v. ?4 v! F
gm 本來就大
* b. W4 E8 h. ]! }1 y+ d8 C* T' Q至於模擬的方式, PMOS source 接3V, drain 接2.8V
. A% c' F* I3 p( L3 @  b掃gate電壓看電流, 找Id=10uA下的gm
9 O( O( U# q! @; t" C& i; }前提是你的spice model 有cover weak inversion (通常不太準~)
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-6 05:21 PM , Processed in 0.092005 second(s), 15 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表