新一代寬能隙半導體元件高功率測量技術最大挑戰是

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IR推出堅固可靠1400V 超高速IGBT 為感應加熱及軟開關產品作出優化

4 O/ y, P3 z9 _1 m  O7 d全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠的超高速1400V溝槽型絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF，新元件為電磁爐及微波爐等軟開關產品作出了優化。

. e/ \2 K5 ^  t9 d+ ?* tIRG7PK35UD1PbF與超低正向電壓二極體共同封裝，利用IR 的Gen7 薄晶圓溝槽型技術提供極低VCE(ON) 和超高速開關，從而把感應加熱產品內的導通及開關損耗減到最低，實現高系統效率。新元件的電壓範圍擴充至1400V，有助於設計更高功率的單端並聯共振式功率轉換器，更配備額外的防護頻帶，使設計更穩固。
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1 ^) Y5 L3 |: h" s+ O6 H6 D' KIR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRG7PK35UD1PBF憑藉IR的1400V場截止溝槽型技術，把感應加熱及軟開關產品內的導通和開關損耗減到最低，並且提升系統可靠性。」

IRG7PK35UD1PbF針對軟開關產品，把IR久經驗證的IGBT產品系列增至1400V，從而擴充感應加熱系統的功率範圍。IR致力於開發功率應用的技術，透過優化元件來滿足多種功率系統的技術要求。