新一代寬能隙半導體元件高功率測量技術最大挑戰是

tk02376

新一代寬能隙功率元件(IGBT, SiC, GaN)比起矽製作的功率元件更能提供顯著的益處。這包括更高的操作溫度、高運行電壓、高運作頻率和低功率損耗(低電阻)。這些特性轉化為固態功率電路設計的以下優點：由於減少了開關和傳導損耗，和更高的操作電壓、電流和頻率，轉換效率也相對的被提高了，同時由於允許更高的操作溫度和減少所需的冷卻系統，重量也相對的被減輕了。然而，儘管寬能隙元件提供許多好處，但它也存在許多表徵的挑戰，這包括...