一個商用IC只有兩個I/O引腳,datasheet上標稱ESD為2kV(HBM),我們使用HBM測試儀對其測試,正向反向放電各10次,脉衝間隔1秒,測試了10片,結果為3800~4800V,明顯高於其標稱的2kV。 0 E$ T2 b. \/ ~% o V% m3 F k0 T+ z* q( S
另外我們對自己開發的多款IC也進行了測試,該IC採用TSMC 180nm 2kV ESD模塊,也是僅有2個I/O引腳,ESD模塊緊貼放置,測試結果在3700~5700V。4 L/ B' v& s- V' ^
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請問這是否合理?是否我們的測試方法出了問題?謝謝大家!