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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟1 H) ~  [# ~6 ?6 s7 w
1 b5 Z4 {- G7 ^
OD2作用:8 Q+ v# Z$ [6 U  l9 C+ C& g/ T5 f- d
1. 增加阻值
8 {4 W( O9 K7 R) {+ Z3 ^2. 防止電流過大而導致元件燒毀3 X1 I2 P; \5 W
3. 通常用於高壓製程上
$ v1 t$ j  n" l; c
8 V  |  J4 H( J2 Y: h* uSAB作用:
, x/ ]% I2 a4 A" X# u5 r1. 可以用來計算電阻值+ u- ^1 O' W% U, \
2. 降低阻值: \1 n; O  b6 y$ W/ P/ f" W
3. 防止LDD的尖端放電3 {# B6 s5 o# R' A/ ^- N/ V- e( K

  D( G3 U! U3 t$ ^  E& v/ w) i
* k' X/ M$ k  Q* R; D以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚$ g3 H" i& r4 k7 }- W& T/ n4 j
這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
3 \9 W; J. A! [8 nSAB : 認同二樓說法
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
: T' ]" O' L. O0 T
# Y1 k8 D1 Z# v1 t7 w個人的認知與看法!有錯請指點一下!0 ~1 W4 y: q8 T

' w- A/ A  x2 i% o有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
. m1 ^4 |; M6 [- q2 M) n+ i0 l$ G, G- i3 ]" ~& {
蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!. D5 A% d, n2 v
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
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