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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
/ ~; c  p  V4 Q3 y5 `( i
* ?2 n  o/ @) fOD2作用:
0 x6 y( |' Z5 l8 O1. 增加阻值
1 e5 t' N. C% W0 k0 _% j2. 防止電流過大而導致元件燒毀
3 g! V9 @8 S2 ~& L3 I  ^$ h- r/ g! r3. 通常用於高壓製程上/ k8 a2 m) l. F, P- V' f

2 N: k6 r$ \: M% ~" ?! F; QSAB作用:) m9 ^2 ~% w. R: S# v. `4 ^/ U% o
1. 可以用來計算電阻值
! ^4 k7 e3 X& X" A8 X. q. g2. 降低阻值
1 a4 u( |' {: r/ ?! ~0 h/ b* K3. 防止LDD的尖端放電
+ H9 A" r1 U& t. Z
" Q5 D1 T2 ?3 x- s6 W, Z5 \0 }$ I  D
以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
- l' P+ ^6 W, F% p% b$ O9 X1 {( f- t8 B1 E* X* Z
個人的認知與看法!有錯請指點一下!# e$ [/ y1 A+ b: h9 @+ v

4 D4 E3 k' ~3 e* R有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!" g$ p5 C, M4 g# o5 k

5 G: l" [2 J8 k4 v2 I% q蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!
, H! c# V, A0 ^% T# ~8 W8 q& ^. v能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
+ M* A: K1 {) I9 i) K. d這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的
9 g# b, O( m4 JSAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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