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[問題求助] OD2 與 SAB 的意義??

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1#
發表於 2013-7-22 00:00:42 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
小弟才剛學習沒多久,目前有畫到PAD 電路圖裡在大p 大N 的MOS有畫到 OD2 和SAB 的LAYER層,但對於他們兩個的用途觀念很模糊,在網路上查到的也不知道對不對,麻煩各位前輩指導小弟
$ t: x* a( l5 q( Q7 S# ]5 H. F" y) \" l
OD2作用:
5 C: G2 x: L" U# K" _2 Q+ M/ K1. 增加阻值( ~, K. B/ |& H0 p. X/ R4 c- ?7 i
2. 防止電流過大而導致元件燒毀
1 u9 Z5 S: {  z$ H/ Y0 S3. 通常用於高壓製程上
/ m: K# h- B: P. h7 R
  A) S- M0 M, D8 B( c6 t' OSAB作用:1 u; G2 b1 e; H3 {5 h; ~0 c( V$ Q
1. 可以用來計算電阻值
* Q* i3 b: \% V# P2. 降低阻值5 W9 ~0 J1 ]6 j9 a4 m
3. 防止LDD的尖端放電) ?3 t9 l7 h3 v; S
) `1 G* f: E+ h( E; M/ {( v

9 U3 N+ ?) J; M! l. i以上不知道有沒有錯誤的地方,還是哪一個有重要觀念沒寫到的呢?
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2#
發表於 2013-7-22 13:38:37 | 只看該作者
本帖最後由 bowbow99 於 2013-7-22 01:45 PM 編輯
9 v2 @* A' U# i+ t3 u2 w* j" h
" l$ b* ?5 [, {9 i個人的認知與看法!有錯請指點一下!
/ P4 p+ Z7 @  M
- y- T' d/ _/ g, R有蓋OD2的OD會變厚,我也認為跟樓上2. 3.點差不多!
$ e" `/ A4 J7 M6 s/ Z
) ?9 F# P# O* N' \蓋SAB會檔著Salicid的形成,使阻值比較大!如POLY電阻有蓋就比沒有蓋的poly gate大!9 W4 Z, I- J9 c2 U0 h8 B
能不能計算電阻!我覺得是由另一層Dummy Layer在計算的!只是蓋的範圍跟SAB一樣!
3#
發表於 2013-8-2 17:03:44 | 只看該作者
樓上說的正確沒錯~就是這樣
4#
發表於 2013-10-5 23:29:01 | 只看該作者
OD2 : 我知道的是Gate 加厚,不知道 OD 是不是也有加厚
3 k5 s: C, w# G# X3 k' h這層其實對 DRC & LVS 都是有特定的意義的. n% r: C7 _, N5 [3 c  X
SAB : 認同二樓說法
5#
發表於 2015-8-17 00:10:41 | 只看該作者
學到了一課,感謝大大分享!
6#
發表於 2015-8-17 13:58:02 | 只看該作者
OD2是否為運算層?而SAB為實體層?請指教,甘溫。
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