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[問題求助] 弱反轉區、BJT之LAYOUT

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1#
發表於 2012-6-27 09:29:07 | 顯示全部樓層
想到其中一種排法消除階梯(gradient)與對稱(systematic)的error:
3 @1 d" R( ]/ @' ]6 J9 fo代表dummy , X代表10的BJT , W代表1的BJT ..但比9宮格耗片積% R% `6 x5 Y. }& V
o  X  o  X  o! E* Z, b( q4 B2 g+ l8 @" J
X  X  o  o  X
: ]+ ]6 f; T3 O6 b) lo  o W o  o
) W! H8 t" h( j" F0 ^X o  o  X  X
) v/ U" K0 y5 n& t. j8 no X  o  X  o
2#
發表於 2012-6-27 09:34:14 | 顯示全部樓層
weak inversion gm=I/nVT , VT=25mV  -->(1)! O. v" j. Q, R" |! C3 i% P' O
strong inversion gm=2I/(gate driver)  -->(2)5 f3 D5 ^8 ?' a( w
所以直由公式直觀的算,5 `( |% n) C/ A% `4 S' c
假設gate driver = 0.2V ..
# D6 m# M4 [& F/ v要得到相同的gm ... 公式(1)比較省電
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