transmission gate 與 tri-state 對ESD的能力?

andyjackcao

請問各位前輩~
, O. k9 X: Q( i, |( W在相同的輸入PAD(ESD Diode、第二級的電阻相同)時
內部線路接transmission gate(pad會接到dr ...
& u. U; o' o% I! A) Blupiu 發表於 2012-6-21 15:43

1),两者比较时，跟tri-state(pad接在gate)，ESD能力较好
2),三者比较时，follow ESD rule的transmission gate与tri-state(pad接在gate)，相差不多。

andyjackcao

回復  andyjackcao
8 G6 k  M1 z& ~- k
" i% Y1 ?" m) I原因是什么呢？一般不是用drain的pn结去保护gate吗？那不是就隐含着认为gate的耐压比 ...
gaojun927 發表於 2012-6-26 14:58

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+ Z3 e/ T. Q4 H6 M1 I" H3 {+ h
    是这样的；
   通常gate，相比pn结更容易失效；但有ESD保护器件（DIODE)时，gate端会被很好的钳位，而如果存在较小的pn结，容易承受不住较大的电流而失效