Chip123 科技應用創新平台

 找回密碼
 申請會員

QQ登錄

只需一步,快速開始

Login

用FB帳號登入

搜索
1 2 3 4
樓主: ziv0819
打印 上一主題 下一主題

[問題求助] LDO電路paper看到的一些問題!

[複製鏈接]
跳轉到指定樓層
1#
發表於 2012-5-18 16:30:06 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
本帖最後由 ziv0819 於 2012-5-18 04:34 PM 編輯 & p, }, N$ L7 Q  p; i, L6 |
- l! W7 W2 [# q
這部份是說明esr補償的部份!" `$ o& B. n* E
有些東西我看不懂想請問各位大大!感謝!% }9 K9 m: J* Y' H6 O
The incomplete pole-zero cancellation may. _/ Z6 x; l2 j9 e$ T: z& S
lead to instability of the LDO in the worst condition. Small6 H6 b% [; U1 ?& e. y# c8 y
pole-zero frequency mismatch within the unity-gain frequency( K6 r$ I  z/ e2 D$ R1 ]8 t( H
can  degrade  the  quasi-linear  transient  settling  behavior  [6],
9 y# D- n9 f2 ?# L* Y[7] of the LDO upon load switching. Even worse, if the ESR
: `' V" E9 _6 b4 ^zero  approach  is  adopted,  the  resistor  leads  to  large  output* j, ^' o$ B4 K6 L
overshoots and undershoots during massive load-current step- a' n2 {, b9 M* Y6 I0 v  K" f
changes especially when a low-value output capacitor of
; S: `; H% j, e7 N: Emicro-farad range is used.
- q: a: P" e5 n1 c3 k4 V1 r/ B9 K# Z$ o8 g! w& W9 @
我自已想這段話大楖是說明
) z. x( x. I# @  F3 F若是esr補償點跑掉的話8 M; r1 h* B6 E" J$ @8 T
在esr電容較小的情況下~
9 @6 Y+ |$ q# ?5 O輸出的暫態電壓反而會因為esr補償的電阻而產生大的跳動2 q( m" m$ x" \
(overshoots and undershoots指的是跳動吧??)( Q5 y7 |& l+ B( m+ v9 ~0 ~
不知道這樣是不是正確的意思??
8 V5 D0 J/ A# z另外紅色字體部份有大大可以幫我翻譯一下嗎??5 U$ b. Q) H; s2 h! F5 X; w5 w
不太懂紅色字體正確的含義是什麼??感恩!. W) q2 j- `/ F  W+ A9 |/ j- i
8 T0 a$ ?$ k% L* D4 }
另外想問一下~如果本文真的是我想的這樣的話!  S, `4 P, K. Y
有大大可以告訴我為什麼esr電阻會讓跳動變大嗎?; k% _6 N9 d2 |' K: P9 L
是否有paper在說明這個部份的原理?
2 z& |3 o) a. B  W, k3 V這個現象有什麼特殊的名詞嗎??謝謝!
分享到:  QQ好友和群QQ好友和群 QQ空間QQ空間 騰訊微博騰訊微博 騰訊朋友騰訊朋友
收藏收藏 分享分享 頂 踩 分享分享
2#
發表於 2012-5-21 10:30:57 | 只看該作者
是指一般設計者會用一個zero去抵消一個pole,而使PhaseMargin變足夠,4 m2 @, C; X8 T- Z/ N
但如果這個pole與zero都是在unity-gain-freq內的話(一般設計情況都是這樣),
5 A9 K7 G7 u# g7 [由於zero不可能跟pole很精確的抵銷,' ~$ z3 L( v9 f* I
所以會造成pole-zero doublet,(有量化的公式,可以goolge)
) b% o5 i8 Z  I% p. g這樣會使Transient time變長,
3 m" S: R" v. f即使設計的LDO單位頻寬是很寬的.* D* D1 z' L1 h, `/ Q. x
令一個是ESR zero在Load transient時.會造成壓降與呀昇7 ^* e" x+ @8 m5 Y0 K1 g; [- h
可參考attatched file

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
3#
 樓主| 發表於 2012-5-23 15:43:02 | 只看該作者
原來有這麼多東西是我還不懂的!
; H% [1 K) Z' ~/ P0 t" J$ L看來還需要再多多找尋這些東西的相關data
/ C& G9 p% X  w" D另外~大大所提的ESR zero在Load transient時.會造成壓降與壓昇
, Z5 T  l! |, j$ s是在講義的第幾頁??感謝您!!
4#
發表於 2012-5-24 11:24:38 | 只看該作者
想像一個電容上面串一個ESR電阻再到LDO的輸出端的情況下
7 L; {5 ]/ q. Z4 R5 j0 G0 L- E當LDO要由輕載到重載時時,LDO因為頻寬的關係沒辦法立刻反應並提供電流給負載
5 o5 W' \  v, n這段時間,將由電容提供電流給負載,若電容有ESR的話,電容電流先流出ESR電阻6 A- x! y7 r) R0 C; r
再流到負載,此時ESR電阻會有一個壓降. V=I(load)XESR.輸出端電壓將由原來% i0 E/ V' S% a! M
的電壓,降一個V.
& @3 e: C" \! H* u1 s當LDO由重載到輕載時,LDO因為頻寬的關係沒辦法立刻反應並不要提供電流給負載2 N* ?4 k- u4 t- [+ z+ ^
這段時間,LDO電流將流到電容,給電容充電,若電容有ESR的話,電流先流進ESR電阻1 ~8 `; m2 n3 S# }
再流入電容,此時ESR電阻會有一個壓昇. V=I(load)XESR,輸出端電壓將由原來
- d7 d4 r( ^' |( Z% v& S$ n的電壓,昇一個V.
2 c1 c$ z$ g6 r, e$ D; q# b  b這個大蓋就是attatched file裡面的Vesr電壓的來由
5#
 樓主| 發表於 2012-5-24 17:53:32 | 只看該作者
哇~~太清楚了~這樣一講我就有了解了!6 Q% R- f6 `# b1 A0 h; o% J
感謝大大的幫忙!5 W8 c! R3 M7 M* O
這樣我省了好多時間喔!! s& R2 m, T, ]
果然給會的人一點就通~6 I5 N: }# g. F; L2 k$ p7 j" r  a
自己查資料需要比較多的時間!
6#
發表於 2012-5-24 20:04:47 | 只看該作者
最近也正在考慮作LDO,不知發展為何?
7#
 樓主| 發表於 2012-5-24 21:00:52 | 只看該作者
你指的發展若是指個人研究這個題目對未來發展的話
" ~7 l' W  G7 ^7 Z" t我可以說這是很好的類比電路的題目
& k: Y7 S. {) ?. K0 o) ?6 B5 ]目前ldo的重點我覺的是補償的方式
/ N0 G' [$ ?5 }: d4 r( s所以若補償方式都很上手的話
6 p; I! I: W7 ^9 Q1 @) e4 Q未來轉其它的類比電路都會很容易就可以上手!
0 J. k6 F, A+ w  O: V* i有錯請指教!謝謝!
8#
發表於 2012-5-28 10:34:27 | 只看該作者
學習 學習  !!!!* g6 n9 R+ z5 X( t
粉多東西都給他忘記了, 趁這個機會給他複習一下 !!
9#
發表於 2012-5-29 10:51:34 | 只看該作者
很不错,学习了。。。。
10#
發表於 2012-6-5 10:29:54 | 只看該作者
学习学习 灰常的谢谢了
11#
發表於 2012-6-5 19:06:35 | 只看該作者
感謝  學習了!!資料也很好
12#
發表於 2012-6-11 18:06:56 | 只看該作者
不錯的思考...學到新東西  
5 l, q1 l3 [" J0 r" |謝謝...
13#
發表於 2012-6-30 18:14:38 | 只看該作者
下來看看,% r' C8 C; w  `$ t
不知可以不
14#
發表於 2014-6-3 11:27:39 | 只看該作者
很棒的資訊,感謝分享
15#
發表於 2014-6-11 13:03:18 | 只看該作者
0 m; J! H) n" E
有關pole-zero doublet 跟系統暫態行為的分析
/ R0 c: ^$ g- T6 b附檔中的文件有不錯的說明
7 B$ w" Q) I8 `大意是說若這個double的位置在高頻5 ~- V$ x4 \: n! L% g3 V3 y8 o
則暫態時間較短, 但會有較大的voltage error
* Z; |6 h) V! s( O) Y" Z/ k若這個doublet 的位置在低頻
9 b. Q$ g- Z: f則暫態時間長, 但其voltage error 會比較小

本帖子中包含更多資源

您需要 登錄 才可以下載或查看,沒有帳號?申請會員

x
16#
發表於 2014-6-25 16:57:06 | 只看該作者
最近也在看這篇,學習學習!
17#
發表於 2015-3-3 15:00:57 | 只看該作者
高手雲集,學習中!!
) K% o/ @9 o7 t& h" I希望自己也能早點弄熟
18#
發表於 2015-3-3 17:07:19 | 只看該作者
哈哈,這個討論串讓偶獲益良多,甘溫啦!
19#
發表於 2015-7-21 14:09:28 | 只看該作者
感謝大大分享喔!1 B3 F# ?0 L+ M+ K; K, U1 q
感謝大大分享喔!
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 申請會員

本版積分規則

首頁|手機版|Chip123 科技應用創新平台 |新契機國際商機整合股份有限公司

GMT+8, 2024-5-18 08:18 AM , Processed in 0.131016 second(s), 17 queries .

Powered by Discuz! X3.2

© 2001-2013 Comsenz Inc.

快速回復 返回頂部 返回列表