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[問題求助] CMOS工艺下bandgap 负温度系数器件,为什么使用PNP管而不是用二极管?

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1#
發表於 2012-2-8 16:02:57 | 顯示全部樓層
其實也是有的。
& U3 ]" p$ k1 ^! I# `* y
# v$ i  D% ^& Z, W+ c2 D4 t有一些Paper就是用Diode,或是NPN。5 |0 `7 v7 @8 e
6 m6 R& Y* i6 s& D1 i
而會用PNP 是因為早期CMOS製程中,只能寄生等效PNP電路。
! m6 J# D7 c7 s' q5 x9 x, X  ~) n/ B& ^- ]# f3 G& e2 g
其中的寄生等效Diode會有Latch-up的問題。
! N. D; p. b7 h7 e$ N5 P! l9 ~* y5 [# j7 j" d* L6 x2 A4 f
這是製程受限的關係,比較先進的製程就沒這種問題了。
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