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ANS 1,具体HBM值应当与TLP波形相关,若BV电平在1000V左右,It2在0.14A左右,不考虑测试时候寄生电阻误差 ...5 g( d' s" g3 c- e; F3 ~: Y
CHIP321 發表於 2011-12-6 01:10 PM - |% W9 j4 _% k2 L& T
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7 t. r1 T: G1 s& k+ ~' K版主說的TLP逆推HBM值,才是DUT的準確評估." A% G3 R i Q
這是錯的, 在高壓元件中TLP已經不能準確呈現HBM level, 已經有journal發表過類似問題, 可以去收尋paper. 再高壓元件中It2高, 不一定ESD level就高, 有的It2很低仍然可以pass HBM 4K, 這個我也在實務上驗證過多次!6 H2 s$ }& c' |0 c. U! c
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700V超高壓元件, 除了考慮到電流擊穿oxide, 由於內阻大還需考慮到power, 雖然電流低但是700V的高壓, 可能導致元件power過大, 造成物理性的damage. 實務上最好的方法是測試function, 目前就單顆元件還沒有統一正式的測試方法, Hint:可由基本電性下去驗證. |
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