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[問題求助] Layout Design Rule Considerations:How to set up the Space of Rpoly?

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1#
發表於 2011-11-25 17:12:40 | 只看該作者 回帖獎勵 |正序瀏覽 |閱讀模式
Layout Design Rule Considerations:How to set up the Space of Rpoly?
$ Q+ O( Q# U& }* w8 a" V' f- A1 d8 s) N7 @( b( {
用於製作電阻的POLY間距在LDR中通常要遠大于GATE POLY的間距?較大的間距會帶來什麽收益?是出於PR的考慮or Etch的要求呢?& m8 m( C+ n* Y) a9 C+ Z  c: o. `9 V
若是基於精度控制,爲何GATE POLY不做此項有求?
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3#
發表於 2011-12-1 01:46:04 | 只看該作者
goooooooooooooooooooooooooooooooood
2#
發表於 2011-11-25 17:44:24 | 只看該作者
1,FOX 比栅氧要厚,也就是 Etch的时候 接触面是要算立体的吧。FOX厚多少 宽度自然要加多少。
: Z: r+ c9 X2 S1 w; D2,Rploy 是生长在场氧上(FOX),相对栅氧是不平整的。距离大“翘起”效应低一点。
; y6 v0 i2 _* Y+ w9 c个人的一点浅见,多多指教。
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