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積體電路 (IC) 體積持續縮小,促使效能的提升,同時也提高了 IC 對於 ESD 的敏感度。專屬的 ESD 保護裝置亦屬必須,藉此處理 ESD 事件,避免破壞性能量進入 IC 輸入/輸出 (I/O) 並造成損壞。英飛凌提供多樣化經過特殊設計的 TVS 二極體和陣列元件,同時降低了各種電腦及通訊系統應用遭遇 ESD 損害的風險。
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ESD105 系列其他規格/ D' a. O0 V: C* ~ W7 R8 ^& O
; J, ^; Z4 d" X. D/ {( `ESD105-B1-02ELS(雙向 TVS 二極體,單一線路,TSSLP-2-4 封裝),- c7 ^6 }0 a; x" t, C! y7 R' t+ \
ESD105-B1-02EL(雙向 TVS 二極體,單一線路,TSLP-2-20 封裝):
7 X1 C* f% ]& f6 q% `
: r$ y, X9 L- \- z· 針對高速訊號應用的絕佳ESD防護規格:
4 Q) v! I4 n5 F7 z7 [3 y/ v2 S/ L– IEC61000-4-2 (ESD):≥ ±25 kV(空氣放電/接觸放電)
* |: m# s: ?; n2 w– IEC61000-4-4 (EFT):≥ ±2.5 kV / ≥ ±50 A(5/50 毫秒)
+ {6 Q$ b7 l, J1 T– IEC61000-4-5(surge):±5 A(8/20 微秒) 2 B$ A) {% q, x* l3 S8 G7 C2 Z
) E, g2 b7 R! ?& J· 最大工作電壓:VRWM = ±5.5 V( y$ _8 ]- C1 p. \" { V8 ]% ? ]
· 寄生電容(I/O 至 GND):CL = 0.3 pF(典型)
5 W0 h) K- y, G$ e: a' A· 箝制電壓:VCL = 10V 當接觸放電8kV 時
6 q7 d3 l4 s: Z8 Z+ ^0 C· 動態電阻:RDYN = 0.36 Ω(典型)* C k9 D# s( [. a4 v
· 反向電流:IR = 1nA 當VRWM = 5.5 V (典型)
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ESD105 系列裝置和入門套件目前已開始供應。TSSLP-2-4 和 TSLP-2-20 封裝皆完全符合綠色環保 (RoHS) 和無鹵 (halogen-free) 規範。 1 H( u9 |7 `# @
: U3 m2 b$ d, |為了協助提升系統 ESD 的耐用程度,也提升保護設計的效率,英飛凌提供了完善的 TVS 二極體模擬模型資料庫,以及專業諮詢,幫助客戶選擇正確的保護元件及電路設計。 |
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