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TE電路保護部產品經理Nicole Palma表示:“在與設計工程師一起工作時,我們發現IEC的ESD保護標準沒有真正解決可能導致產品故障的CBE所引起的問題。有鑑於此,我們強化了現有的小型低電容SESD器件產品線,提供20kV及更高的浪湧保護能力。這種更強大的保護能力可以協助製造商提升產品的可靠性,並將返修(field return)的次數減到最少,這正是在競爭激烈的電腦、行動、消費和汽車市場設計時的關鍵性考量因素。”
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# N+ I4 p _0 s! e0 R. P. \) w此新一代的SESD產品同時具有單向和雙向配置,以及1、2和4通道的版本,採用微小型0201和0402尺寸及標準直通(flow-through)封裝。除了提供20kV接觸放電性能,這些器件的浪湧保護能力(4通道陣列為2.2A,1和2通道器件為2.5A)將有助於提供更穩健的性能。
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+ ~" f8 k& z( A( T7 `SESD器件的典型輸入電容在高頻譜下為0.15pF (雙向)和0.30pF (單向),將有助於滿足HDMI、eSATA和其它高速信號的要求。其低鉗位電壓 (<15V) 則有助於達到快速啟動時間和將能量泄放 (energy let-through)降到最小。此外,SESD器件所具有的極低洩漏電流(50nA),則可在必須節省能源的應用中用來降低功耗。( |2 X4 o6 U' r: m& p3 L
- H$ y& D: q; I/ q1 ^
型號:3 l8 L# ~0 K( O3 e _
單通道:( o: q. {' j9 q1 R/ G/ h% `
• SESD0201X1UN-0030-088 – 單向; 0201尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp;8.8V (典型) VBR
0 o. p$ ?6 h$ l1 e% T7 j• SESD0201X1BN-0015-096 – 雙向; 0201尺寸;0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR+ J4 x( {! A) j9 b
• SESD0402X1UN-0030-088 – 單向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR5 W2 n+ e5 W) _9 t9 }, O* M8 r3 S
• SESD0402X1BN-0015-096 –雙向; 0402尺寸;0.15pF (典型) 輸入Cp, 9.6V (典型) VBR
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多通道:; U; S$ z& q, H( G( C6 x# p
• SESD0402Q2UG-0030-088 – 單向; 0402尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
3 o8 H0 G) b, y4 E* [• SESD1004Q4UG-0030-088 – 單向; 1004尺寸;0.30pF (典型) 輸入Cp, 8.8V (典型) VBR
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/ M1 f0 d! \8 r/ a, P. [9 ~$ ]' H' C價格:按要求提供$ i! ^: d7 P6 k- l- b, X6 V G
供貨:樣品供應中+ ]+ d: y8 X- o# h$ P5 R
付運:交貨期為12周 |
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