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主要規格5 C: [, h4 L- X* c) H
2 P* z4 W" k x: _; X! v; z8 I) i7 i
• 低導通電阻:18.4mΩ
8 E* |6 ]- b: v• 低工作電壓:0.75V 6 i' c% W( C7 k6 w( H/ U
• 低待機電流:0.6UA[4]
4 \) g e, @$ y2 b• 反向電流阻隔電路
. Z; |: R9 M, n( y' |• 超小型封裝:WCSP4C(0.9mm x 0.9mm, 厚度:0.5mm)
) t- @6 g9 B: b8 Q) _6 G• 多種功能選擇(浪湧電流限制、自動放電等) . Y$ w4 X* f4 N
3 _( {: p& p( q# I6 X5 E4 A+ N. p
注+ Q: U; V4 Y1 I( `& N
[1] 當輸出引腳電壓大於輸入引腳電壓時,阻止電流流入輸入引腳的電路。
6 \, f# P/ ?& I4 ~) k \[2] 輸入電壓為0.75V、輸出電流為-1.5A、室溫條件下的典型樣品值。
4 R, k5 A* \- q' s- `, u[3] 自2013年9月30日起推出的1x1mm以下的矽半導體CMOS積體電路設備。東芝調查。* ^. _+ S, ?( Q
[4] 待機時輸入電壓為3.6V、室溫條件下的典型樣品值。 |
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