請問layout後的電流

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你好小弟不是RD,我認為LAYOUT影響的不大
% b0 h! d! h" i( v& w) l不過看一下LAYOUT我覺得可以把GUARD RING上端處加粗畢竟從MOS的角度來看若是希望MOS DRIVERING能力夠強,則會加大他的WIDTH
但是光加大MOS,但源頭不夠粗相對IR DROP則也會比較大,若還是沒差很多看你LAYOUT並沒有其他會影響結果很大處
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以上是小弟的淺見,若沒幫助還請見諒

h2off0202

抱歉剛英文打錯是driving 不是drivering

+ f$ S: M6 p8 c0 @; h6 TRD給我的觀念

: R1 l  Z6 [6 x3 H, J->GATE不吃電