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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:! m" F8 U: @% n) V% d5 W
•汽車點火器用IGBT單管
5 z; Q0 h9 d& x- a; l針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。+ Y Q" U. G2 s4 @- {/ v
•新能源汽車用IGBT晶片及模組' I! b# _7 N7 k. G3 n% @
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。
! y: I: b x2 J# {1 T0 _二、技術指標
& |- X$ H( F( @3 E' L•汽車點火器用IGBT晶片及單管
- M0 _' g* x/ L7 W0 E. V) {主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
7 f9 ? X! A7 O) U* Z集電極-發射極電壓 VCES 400-600V0 m) |: j, g. a+ ^( h# q7 d
集電極直流電流 IC 10-40A& Z2 I. F4 H1 v8 t. V. n
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V2 J3 a' |& X s9 X' I6 ?
•新能源汽車用IGBT晶片及模組. _: b4 Q# E' W+ f: f) V
主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值" Q/ S, [$ n1 H8 o
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
; j) j5 N4 ^( Q集電極直流電流 IC 100A 800A" u5 ]7 A2 _4 K# N# Y
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V" b; ?9 D& u( \3 y1 D& \
三、經濟指標/ {: e- U4 s& \' K4 p9 e& Q) Y3 u
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
; z7 F. h* n" i, |8 z! _( a•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。4 N- K# f1 M" Q; E: @* l& y
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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