|
3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:/ q/ b9 {7 |. s8 G. {( B
•汽車點火器用IGBT單管& b. f. ~3 i" A% M# M
針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。$ V2 k" X* j, {& ~, O. `
•新能源汽車用IGBT晶片及模組% k# L7 {0 G; z
針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。8 m' R% }9 P0 H
二、技術指標7 W& i1 M+ ^6 q
•汽車點火器用IGBT晶片及單管
1 G# _& e: D' M/ T6 g主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
# E# Y' l" o0 y8 | |5 A集電極-發射極電壓 VCES 400-600V
+ x4 q" K: g9 p' W% C集電極直流電流 IC 10-40A
* |( S+ X3 j- z0 g集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V# i/ O& b! X5 u1 E
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
3 {: z/ B: C$ |% l$ U/ z7 E主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值: }. e. v7 Z& X2 i% I+ l; u
集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V
) f7 X. l) }' g3 Y9 f6 z集電極直流電流 IC 100A 800A
0 ~( f; {+ m6 U+ ^+ j( x集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
' {+ x2 H1 S- F- u三、經濟指標( W& h d0 k0 L
•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。3 E) U' o. ~/ G4 a: ?( l U
•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。3 o' ]( T' X5 G) r% f
1 W+ ^) i' ]/ _; e2 w: N4 k/ M0 N
* C- M9 Z' c7 R
, e0 k8 f E6 r5 l9 o6 u, m. ?合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
|