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3000萬元RMB尋求汽車用IGBT晶片及模組的研發與產業化
一、主要內容:
: K6 h( _1 K) F: }•汽車點火器用IGBT單管
/ A q* v- B& {針對汽車點火器應用的要求,自主開發IGBT晶片、單管的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT單管的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等。/ q) x1 ^3 G, t( h3 v
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
* D: P S. t' f9 y( [: R針對新能源汽車領域(混合動力汽車和電動汽車)應用的要求,自主開發IGBT晶片、模組的關鍵技術及產品並實現產業化:包括 IGBT晶片及模組的設計技術、關鍵製造工藝以及批量生產技術等,核心技術必須具有自主智慧財產權。2 A! N' c' U/ o0 G8 f. J
二、技術指標
& s9 a% y8 C& R k3 e m$ C# J•汽車點火器用IGBT晶片及單管
# h2 a9 l2 I" f; L主要參數名稱 符號 IGBT晶片、單管參數值
; E7 n }9 ]# n/ @3 z集電極-發射極電壓 VCES 400-600V2 S0 \+ [ Y5 `- @
集電極直流電流 IC 10-40A* @1 K3 N; m/ `# A3 R! [7 A, W
集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.0V4 J4 p0 t& P" V0 ]
•新能源汽車用IGBT晶片及模組
* E% a0 t0 E- g* n' ~# v. W9 C主要參數名稱 符號 IGBT晶片參數值 IGBT模組參數值
7 G# \2 A& Z, j- s集電極-發射極電壓 VCES 1200V 1200V( h% d( j6 y T
集電極直流電流 IC 100A 800A
$ t7 W/ a0 V. ~6 f集電極-發射極飽和壓降 VCE(SAT)) ≤2.5V ≤2.5V
- G$ t& N* G+ z三、經濟指標
5 X. F/ B }) S•汽車點火器用IGBT單管:完成IGBT晶片2萬顆及1萬個IGBT單管的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的汽車點火器用IGBT單管裝車100台以上。
* a4 h4 L( c( Z. B; K. e•新能源汽車用IGBT晶片及模組:完成IGBT晶片8000顆及1000個IGBT模組的生產、銷售,實現主要經濟指標要求。生產的新能源汽車用IGBT模組裝車30台以上。& C! q# I5 ]" H
# R" G: W/ e& i& B/ x, z
: c8 Z: a2 A8 \
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合作面議。能者與意者請email研發簡歷與chip123聯絡。 |
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