太陽能逆變器需求大增 2011年兩岸產業出貨量持續攀升

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(註1)光耦合器：
光耦合器內的輸入端包含一個單一封裝的發光元件(LED)，可見電子訊號轉換為光線，在輸出端則有光接收元件，可將光線轉換為電子訊號。由於上述光電耦合裝置以光的形式將訊號從輸入端傳送到輸出端，因此兩端可完全隔離對方的電子訊號。

(註2)外部沿面距離：
在用於連接光耦合器的高電壓側封裝腳位至低電壓側封裝腳位之間的最小距離，以沿著封裝的樹脂外圍的方式測量。較長的距離可提供較高的電壓耐受度。

(註3)強化絕緣：
比基本絕緣更強的絕緣。此標準需要兩倍於基本絕緣的沿面距離。

(註4)基本絕緣：
避免人員觸電的基本絕緣。

(註5)寄生電容：
由於物理結構而在晶片內意外產生的電容，亦稱為浮動電容。

價格與供貨
瑞薩電子之新光耦合器已開始供應樣品並開始量產，預估至2012年10月將達到每月1百萬顆的產能。 (價格與供貨如有變更恕不另行通知。)

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Silicon Labs推出業界首款針對交流電監測市場的隔離型類比數位轉換器
-新型Si890x隔離ADC元件為太陽能逆變器和供電電源提供最佳化的線路電壓監測和數位隔離功能-


台灣，台北 - 2012年6月11日- 高效能類比與混合訊號IC領導廠商Silicon Laboratories（芯科實驗室有限公司, NASDAQ: SLAB）今日宣佈推出業界首款具隔離功能的10位元類比數位轉換器（ADC）產品，以滿足電源線路監測需求。新型Si890x系列產品結合Silicon Labs專利的基於CMOS數位隔離技術和經過驗證的ADC技術，為電源管理應用提供可靠的線路電壓監測和保護解決方案，可應用於太陽能逆變器、交換式不斷電系統，以及需要在高壓側進行隔離的工業感測器資料採集應用等。

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對於需要監測交流電供電狀態的應用來說，隔離型ADC是不可或缺的。目前此類應用中最常見的解決方案是採用電流變壓器搭配離散式元件和資料轉換器- 這種方式不僅龐大而笨重，且會增加供電電源的尺寸和複雜性。雖然可使用獨立的ADC，但是他們需要昂貴的外部隔離元件連接到電源或其他高壓系統。有些供應商可提供針對馬達控制而設計的隔離型ADC，但這些元件對於電源監測市場來說太過昂貴。

Silicon Labs所設計的Si890x隔離型ADC，以有別於其他供應商的方式滿足電源監測市場的需求。Si890x系列產品提供比變壓器方案更為輕薄短小的解決方案。由於Si890x元件整合ADC和隔離功能，可透過獨立的序列埠傳輸功率測量資料至系統控制器進行處理。Si890x系列產品支援2.5kV和5kV隔離等級，滿足高壓系統嚴格的安全要求，例如IEC 60950-1、61010-1、60601-1標準和UL、CSA和VDE認證。5kV等級系列產品可滿足工業、醫療應用，以及全球通用的120/220V交流電源。此款隔離型ADC支援高達1200V隔離工作電壓以及超過60年使用壽命，遠遠超過使用該元件的高壓系統的壽命。

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每個ADC輸入支援一個3通道類比多工器（AMUX），所以單個Si890x隔離型ADC可監測多達三個不同的訊號（通常交流電壓和電流中第三個通道作為備用通道）。另外，Silicon Labs還提供支援Si890x全系列產品的Si890xPWR-KIT評估板，包含主控制器，使開發人員能快速輕鬆的連接到交流電源線，在示波器上觀察波形或接收序列資料。

Silicon Labs存取、電源和感測器產品線副總裁Mark Thompson表示：「Si890x元件是我們廣受歡迎的Si86xx數位隔離器系列產品的延伸，為開發人員提供隔離的ADC解決方案，滿足電源線路監測市場對於性價比的要求。Si890x系列產品為需要降低成本和複雜性、獲得可靠CMTI效能和靈活介面的應用提供新的選擇標準。」

Si890x系列產品提供3個序列通訊介面選項：UART、I2C和SPI。靈活的介面選擇使開發人員能充分利用現有系統通訊連接埠，方便的整合到系統設計中，同時也讓開發人員在不改變其系統控制器的情況下，快速的連接到隔離型ADC。此外，SPI埠選項為頻寬敏感型應用提供高達2.5Mbps資料傳輸量。

價格和供貨
Si890x隔離型ADC現已開始供貨。可提供2.5kV和5kV隔離等級、16接腳SOIC寬體封裝。Si890x元件於1萬顆採購量時，單價為1.65美元起。Silicon Labs還提供Si890xPWR-KIT評估套件，開發人員可利用評估套件進行演示和測量交流線路電壓（50/60Hz、110/220VAC）及電流，每套售價149.00美元。

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瑞薩電子第7代650V及1250V IGBT系列產品立下了新的技術標竿並可為太陽能發電及工業馬達逆變器等工業用裝置提供高效能解決方案
第7代IGBT可為650V系列產品提供1.6V、以及為1250 V系列產品提供1.8V低飽和電壓以降低功率損耗


2012年7月30日，台北訊—先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)新發表13款具備領先業界高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝置，適用於例如太陽能發電機與工業馬達的功率調節器(功率轉換器) 等處理高電壓及大電流之設備。第7代技術以強化薄型晶圓製程為基礎，權衡了傳導、切換損耗及穩定效能而達到低損耗，且提高短路耐受能力。

相較於第6代技術的600V與1200V系列產品，第7代產品系列具有較高的額定電壓650V與1250V以因應低操作溫升及過電壓耐受能力之需求。

瑞薩IGBT適用於馬達控制應用。在這些情況中，裝置之短路耐受能力是設計上的關鍵參數。第7代IGBT系列具備10µs額定短路耐受能力，因此可廣泛應用於馬達控制。

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近年來，於環保與其他因素之考量下，促使高能源效率之電子設備需求增加，並持續推動太陽能與風力發電等潔淨能源，針對高電壓及大電流之設備也持續努力提升其能源效率，例如太陽能逆變器、噴水幫浦及大電流變頻器控制馬達。為了大幅降低上述設備之直、交流轉換損耗，高效能的IGBT產品需求於是增加。但是，這必須權衡其飽和電壓(附註1)，這個參數是在大電流操作下達成低損耗以及高短路電流耐受能力的關鍵。以往並無法兼得低損耗與高達約10微秒的短路耐受能力(附註2)，一般認為這對於馬達驅動器等應用都是不可或缺的，為因應此需求，瑞薩開發出上述高效能IGBT。

新款IGBT的主要功能：

(1)降低飽和電壓，650 V版本為1.6 V，1250 V版本為1.8 V，以提供更優異的電源效率
獨家超薄晶圓技術可將650 V版本產品的飽和電壓從早期瑞薩同等產品的1.8 V(典型值)降低至1.6 V(典型值)，並可將1250 V版本產品從2.1 V降低至1.8 V，分別降低12%及15%。如此可降低功率損耗並有助於提升效率。

(2)10微秒高短路耐受能力可提供更高水準的可靠性
高短路耐受能力對於大電流應用而言是非常重要的，藉由優化晶片架構的技術，瑞薩從早期同等產品的8微秒(μs)左右提升至10 μs以上。如此可確保在例如太陽能逆變器之功率調節系統中達到優異可靠度與穩定效能。

(3)更快速的切換
藉由優化裝置的表面架構，相較於瑞薩早期產品，反向傳輸電容(Cres)(附註3)已降低約10%。這有助於更快速的切換並能夠生產更具效率的電源轉換器電路。

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上述效能之提升有助於降低各種應用的功率損耗及提高運作的穩定度，例如，三相逆變器電路，其廣泛用於大電流應用領域下之太陽能逆變器或工業用變頻器控制馬達。
瑞薩提供微控制器(MCU)結合類比與功率裝置的整體解決方案支援客戶，其新款高效能第7代IGBT產品在全球同類型頂尖產品中佔有一席之地，這些產品成為瑞薩功率裝置系列產品的核心，瑞薩計劃繼續推出此系列的新產品。
瑞薩亦計劃推出一系列套件解決方案，其中包含新款IGBT產品、用於馬達與逆變器控制的瑞薩RL78與RX系列MCU，及用於功率裝置驅動的光耦合器，伴隨著其他產品。瑞薩準備推出配備新款IGBT產品的開發板，以支援客戶的整體評估與系統設計。
新款IGBT產品的出貨形式為晶圓/晶片，RJH65S系列則提供TO-247A封裝。

關於新IGBT產品的主要規格請參閱附件。

(附註1)飽和電壓(VCE(sat))：
IGBT效能最重要的指數。表示裝置傳導電流時，集極-射極間形成壓降之程度。數值越低，傳導損耗也就越低。

(附註2)負載短路耐受能力 (tsc)：
IGBT承受破壞的能力指數。表示發生短路而有無限電流流入時，IGBT在損毀前可承受的時間。一般而言，對於馬達驅動器等需要處理大電流及高可靠性的應用而言，數值越高越好。

(附註3)反向傳輸電容(Cres)：
此參數表示IGBT的閘極與集極間的固有電容。一般而言，數值越小表示裝置能以更快的速度切換，以減少切換損耗。

價格與供貨
瑞薩13款新IGBT產品 (包含650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列)自2012年七月開始供應樣品，預定2012年9月開始量產，並預估至2013年4月達到每月50萬顆的產能。(價格與供貨如有變更，恕不另行通知。)