ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
0 J9 B% w- o" K: q2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
$ \1 ?' ?( ^  v8 P失效机理是怎么会事，多谢

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

, l' |" S, A0 r8 ?. L% n  |" r" a
& X1 X0 Z3 K9 L' D% M1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um
$ T$ p7 V( |7 A+ V0 @0 F( k
% I" W6 F% ~5 E, L1 c3 ?4 p2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路