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[問題求助] ESD失效分析求助

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1#
發表於 2011-1-18 14:32:02 | 顯示全部樓層
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:/ @4 f" }$ R, o. R3 l9 h& y' c
1. 請問製程為何?
9 j2 V+ b8 P. C4 h1 F3 n2 H  X2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
& x+ R; O7 a; b& ?% e, u+ ~2 r2 d6 J3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?; g% ^' ^# r* o5 s
要有上述的數據才能做最基本的分析.
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