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樓主 |
發表於 2011-3-27 11:34:00
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要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
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2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
* R$ D" P7 j* }5 P4 n8 c# C! ~klim 發表於 2011-1-18 14:32
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) _5 T. d! z8 `# Q! E* h1), 請問製程為何?
. j" m. _4 A G; f" ~$ P tsmc 0.18um : S: d8 ]0 D- d$ j2 e
. x5 z* _7 E% u# p
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
, H: B( c# t# E& N两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打+ ^. k2 }$ r1 i4 q X/ j( |) l/ q
. b" c% n+ I% _# b- {! I3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置 |
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