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[問題求助] ESD失效分析求助

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1#
發表於 2010-11-20 14:59:18 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
2颗VDD到地测试
( }. U7 O6 S: Q! B1),第1颗从500V开始测试,大部分在500V时就失效  |( l& {4 |% y
2),第2颗从1000V开始测试,大部分在1500V时失效; [6 L) o7 {' j
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构; g. s: V. i' `  k  |! r
失效机理是怎么会事,多谢
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2#
發表於 2011-1-18 14:32:02 | 只看該作者
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
2 p# W; W8 x$ w# H' M1. 請問製程為何?
3 G& i! a4 u3 `9 M) ~$ n6 b4 `2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?# j) D+ }5 A+ {
3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?. L( ?' |7 Q/ \0 C
要有上述的數據才能做最基本的分析.
3#
 樓主| 發表於 2011-3-27 11:34:00 | 只看該作者
要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
; ?7 M0 s- e8 g* c6 V" n/ O+ [1. 請問製程為何?/ X. y& I0 S; H. V2 s
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
* R$ D" P7 j* }5 P4 n8 c# C! ~klim 發表於 2011-1-18 14:32

6 f1 D6 V6 Z+ h
) _5 T. d! z8 `# Q! E* h1), 請問製程為何?
. j" m. _4 A  G; f" ~$ P tsmc 0.18um : S: d8 ]0 D- d$ j2 e
. x5 z* _7 E% u# p
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
, H: B( c# t# E& N两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打+ ^. k2 }$ r1 i4 q  X/ j( |) l/ q

. b" c% n+ I% _# b- {! I3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置
4#
發表於 2012-2-12 13:41:58 | 只看該作者
感兴趣问题的进展,是样品概率问题吗?
5#
 樓主| 發表於 2012-3-13 20:20:27 | 只看該作者
感谢关注,ESD问题已经解决
6#
發表於 2012-7-12 12:21:25 | 只看該作者
how to resolved it????
7#
 樓主| 發表於 2012-8-21 21:40:30 | 只看該作者
在不同电源之间,电源和地之间,建立了更多,均匀的ESD通路
8#
發表於 2013-10-13 02:30:06 | 只看該作者
在不同电源之间,电源和地之间,建立了更多,均匀的ESD通路 ??5 j  j4 i+ u0 V1 q/ C3 ^, b4 u
均勻是指什麼6 i. L5 ~: Z/ I3 E0 ^
方便貼圖上來嗎
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