ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
+ Q5 Y" u/ a1 C9 J0 }; Z电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
) f: \" x. S+ W" Y8 `) u失效机理是怎么会事，多谢

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
& h/ y3 L0 P- }# z( }均勻是指什麼
方便貼圖上來嗎

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
8 t$ J* [5 Y5 [+ R" O" _# `1. 請問製程為何?
! T! u1 ^; T% W; j* T% X2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
klim 發表於 2011-1-18 14:32

. ?0 u0 L. |% V: q! J, v
. S; `7 ]- u' ]" \& x1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um

2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
1 w% W' R8 r, h* S两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打
- K% B' \* W( f
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
4 F) A" B9 ^! j! @6 n' v6 C+ J1. 請問製程為何?
  v8 P6 R; v2 w* ~9 Z/ x! v$ P0 ^2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
3 U- d2 A5 H- Q; b3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.