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樓主 |
發表於 2011-3-27 11:34:00
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要回答你的問題前, 我要知道一些東東:9 X9 x4 c7 Q G- |# ]0 g: `/ L
1. 請問製程為何?' h5 M. a6 n' u( @; n
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...: @! I& a0 A. t x" v
klim 發表於 2011-1-18 14:32 . c7 H: O6 n, k3 f3 T
% E H/ k1 ?! k) P) F7 y1), 請問製程為何?
3 F& p1 S, ~0 e1 I( z, _8 @ tsmc 0.18um
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5 R, v8 B5 S8 {2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V .../ o+ h" T6 P; E& I
两个芯片均测试HBM模式,故意一个从500V开始打,一个从1000V开始打, q: R$ s& `1 R" y: E' \4 ~
5 f& F4 e6 z' s1 Z, F: m: U( w; u
3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>,只是没有固定的电源引脚,而是,通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置 |
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