ESD失效分析求助

andyjackcao

2颗VDD到地测试
( ^5 k4 G8 s9 E+ y$ ]+ o1），第1颗从500V开始测试，大部分在500V时就失效
2），第2颗从1000V开始测试，大部分在1500V时失效
电源到地的结构为分布式的GGNMOS结构
失效机理是怎么会事，多谢

chang707070

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路 ??
9 N7 Z, x$ p* j( M  ]3 ~7 ^7 L均勻是指什麼
方便貼圖上來嗎

andyjackcao

在不同电源之间，电源和地之间，建立了更多，均匀的ESD通路

tuza2000

how to resolved it????

andyjackcao

感谢关注,ESD问题已经解决

postme

感兴趣问题的进展，是样品概率问题吗？

andyjackcao

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
4 \* s7 H, P" G6 [" R( w% F9 z# ]1. 請問製程為何?
2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
" V/ J: V! S; T/ E& Iklim 發表於 2011-1-18 14:32

/ I& o3 f9 s' d1 t2 O, L2 \7 G* \0 A
1), 請問製程為何?
tsmc 0.18um

2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V ...
, |3 N  K. K. G2 J7 A1 m$ a3 Z两个芯片均测试HBM模式，故意一个从500V开始打，一个从1000V开始打

0 \) K; F6 @1 F: w, ]: l6 C0 L. j3.ESD 的layout遵循了TSMC的<<esd design rule>>，只是没有固定的电源引脚，而是，通过配制IO口的属性来设置电源引脚的位置

klim

要回答你的問題前, 我要知道一些東東:
1. 請問製程為何?
8 P& X% j& W% Y+ ~9 E; q; P2. MM:HBM約為1:10, 你HBM從1KV開始打, MM卻從500V開始打, 為何?
0 x8 B; i, l. {% Y# @) t3. 你的GGNMOS的W=?, L=?, M=?, DCG=?
要有上述的數據才能做最基本的分析.