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Microsemi推出65nm快閃製程嵌入式平台

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發表於 2010-12-28 13:28:38 | 顯示全部樓層

Microsemi針對家庭娛樂連接加入HDBaseT聯盟

美商美高森美公司(Microsemi Corporation, Nasdaq: MSCC)為致力於建立安全,智能,網路世界的半導體技術領先供應商,宣佈已加入HDBaseT™聯盟(http://www.HDBaseT.org/) 成為積極參與會員(Contributor Member)。 Microsemi將充分利用其在開發關鍵,高效率電源解決方案的專長,以協助聯盟推動改善數位家庭娛樂的能源效率和其它電源標準。
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HDBaseT聯盟是由LG電子、三星電子、Sony電影娛樂公司和Valens半導體組成的跨產業聯盟。該聯盟的成立是為了推廣和制定HDBaseT技術的標準,該技術透過普通CAT5乙太網電線,可傳輸無壓縮,full-HD(高品質)多媒體內容,進行網路連接,控制和傳輸電源,跨距最遠可達 100公尺(328英尺)。此外,HDBaseT經由纜線輸送電力的功能可利用單一乙太網路線做為電源傳輸媒介,傳送100瓦的電能於裝置設備,而無需額外的電源。
% V) ]4 o. Y6 ~/ D  R( X5 q
8 K( D- |& l, H6 E- q& ?: H3 iHDBaseT聯盟的總裁與主席Ariel Sobelman表示:「我們很榮幸地歡迎美高森美公司成為HDBaseT聯盟一個重要的成員和代表。有如Microsemi這樣技術領先的公司支持,HDBaseT技術將成為新一代家庭網路傳輸方式。透過聯盟成員的通力合作,利用大家的寶貴經驗,我們有信心能夠完成這一目標。」9 r( I1 [6 Z, E% b* q7 Z
9 p4 X* \4 a4 ?4 K* k3 ?4 ]8 G
在各式各樣的創新與電源管理技術當中,美高森美素以創新著稱並提供乙太網路供電(Power over Ethernet, PoE)技術。迄今為止,該公司已售出超過9千萬個PoE埠,包括PD69000和PD69100 IC系列,該系列目前已經能夠有效地在CAT5網路線上傳輸超過100瓦的電能。2 j. A7 k2 @2 t
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美高森美企業副總裁兼類比混合訊號事業群總經理Paul Pickle表示:「HDBaseT聯盟的目標與美高森美建立一個智能、安全、網路世界的企業策略,是一個完美的組合。在極低的功率消耗率下,提供高效率高品質的多媒體經驗,這個挑戰是我們致力達成的目標。在高傳真世界快速成長的今天,對電源功耗的要求,現今比以往任何時候都更重要。」
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發表於 2012-2-9 13:39:05 | 顯示全部樓層
Microsemi和TRINAMIC推出雙馬達控制套件 解決方案包括SmartFusion評估套件和馬達控制子板套件8 N& f) X" }! d9 u$ c

; J: I+ Z* n1 K6 h  \# m+ L+ E5 j: _功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 和TRINAMIC今天共同宣佈,新款馬達控制套件已經上市,可協助設計人員降低產品開發成本並加速產品上市時程。這套解決方案包括Microsemi的SmartFusion™評估套件和TRINAMIC的馬達控制子板(daughter board)套件。1 b" y, l; G8 n' `
: j$ Q5 a, Q7 S* v" A! n+ N0 M
Microsemi獲獎的SmartFusion可客製化系統單晶片(cSoC)結合了三個成功建置複雜馬達控制演算法的重要特性:嵌入式微控制器、可程式類比和現場可程式閘陣列(FPGA)。這樣的整合方式可提供一個理想平台,以分隔軟體和硬體架構需求。. r2 e8 _& f, \

( m* T0 ~  T  a3 QSmartFusion的嵌入式ARM Cortex™-M3微控制器可作為系統層任務管理、演算法執行和系統連接性之用。板上可程式類比提供電壓、電流和溫度監控的完整感測與控制功能。快閃式FPGA邏輯用來執行硬體加速與數學協同處理。此外,運算/週期密集的演算法常式(routine)可被建置在FPGA內,能夠非常快速、有效地執行副程式。
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發表於 2012-2-9 13:39:44 | 顯示全部樓層
馬達控制套件介紹:& |+ N  F9 Y; h. c
Microsemi SmartFusion評估套件的重要特性:
  {; ~( A( z9 P# l' `+ k9 J
* ~% a1 Y' }& X0 E5 Z5 }•        A2F200M3F-FGG484ES元件% {# g+ W" y' l1 {* s4 s, G
•        20萬個系統FPGA閘、256 KB快閃記憶體、64 KB SRAM,以及在FPGA架構和外部記憶體控制器中的額外分散式SRAM  k5 O# _3 U4 l
•        週邊包括乙太網路、DMA、I2C、UART、計時器、ADC、DAC和附加的類比資源) d# J0 c8 F; ^
•        SPI-快閃記憶體與元件上SPI_0相連
( i, j+ \) E/ f/ F9 m5 {. b9 \5 m( }•        以USB連接進行編程和除錯  k. |! ^# Q* x$ o: B# h+ U
•        以USB to UART與UART_0相連,可執行HyperTerminal範例; s' J5 C/ Z% m" V+ l
•        10/100乙太網路與晶片上MAC和外部PHY介接
# w) A0 q& W: j9 a0 X! q•        來自Keil 或IAR 系統的RVI接口(header)支援應用程式編程和除錯$ w4 n4 t  ?5 t( x2 Y
•        可支援子板的混合訊號接口
6 o  E  W5 S& p9 T0 V
: D3 Y$ x9 q9 TTRINAMIC馬達控制子板的重要特性:
: F0 T( m3 b3 R) s8 M9 W+ L8 v3 d
8 k( Z$ R+ k6 H, }0 d  u; c•        BLDC和步進馬達為平行運作(需要兩個電源供應器)5 M6 Z4 b4 h" {4 q9 M4 q
•        霍爾(Hall)感測器介面、ABN編碼器介面6 k2 e3 I) {! _! A$ b) T3 w
•        與SmartFusion類比IO和類比運算引擎(ACE)緊密相連/ S; A1 l1 @* X: s0 E4 E
•        能透過排針存取混合訊號接口的所有訊號,以進行測試和量測
3 ?3 {+ [& X( n- L' u•        步進和BLDC模塊為獨立的電壓供應
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發表於 2012-2-9 13:40:53 | 顯示全部樓層
其它套件元件:
( d* t0 K+ I5 C0 a3 e•        一個1.8°步進角度的步進馬達
" o7 G4 f( Z8 U+ }& E0 v" F•        一個具備霍爾感測器的無刷DC馬達
- P5 P  S' u2 t5 f" p•        一個配有萬用插座的可攜式桌上型電源供應器(24V/1A)% A# f8 e" {3 E' q* V
•        有設計範例可供下載9 z, Q4 O  R% Z5 ^+ K/ A
! L. `/ A( P8 x  T) m
價格與供應情況
5 f" @! T; ?0 R* j  u
0 c5 k; S8 `4 r( wSmartFusion雙馬達控制套件現已開始接受訂購。兩套搭售的馬達控制套件定價為549美元。
# Q* f2 l+ W; b" C/ D5 s
' p8 g; z! |2 `) E& ^* `( {關於TRINAMIC! g: S1 o. e$ S( ?" G. E

' h& {- v) @# T( g. JTRINAMIC馬達控制公司是一間提供高精密度馬達控制、馬達驅動IC和機電系統的無晶圓半導體公司,可滿足生物科技、醫療、儀器、印刷、機器人、以及其他數十種精密馬達控制應用與市場的OEM業者的需求。TRINAMIC公司總部位於德國漢堡,設計和銷售其IC板級和系統級模組與運動控制軟體至全球各地。這些模組結合了TRINAMIC的專用步進器和無刷控制與驅動器IC,以及該公司在設計自訂與現貨馬達控制解決方案領域的完整經驗。更多訊息,請瀏覽www.trinamic.com
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發表於 2012-3-27 15:18:50 | 顯示全部樓層
Microsemi為行動多媒體和資料封包應用推出高整合度SyncE元件 單晶片線路卡元件整合雙DPLL和NCO5 @7 y( ~" K5 B

2 }, S  h7 _: ]9 ~, `. ]) q功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 擴展其業界最大型的同步乙太網路(synchronous Ethernet,SyncE) 產品系列,推出適用於行動多媒體和電訊級乙太網路封包應用的單晶片ZL30150線路卡(line card) 元件。美高森美的ZL30150可為需要獨立發送和接收時序路徑的應用提供兩個整合式數位鎖相環 (digital phase lock loop,DPLL),能夠支援多達四個輸入。新的線路卡元件還整合兩個數位控制振盪器(numerically controlled oscillator,NCO),適合用於GSM、WCDMA和LTE應用的網路測量和控制系統。三家大型電訊設備製造商已經選擇ZL30150,用於下一代路由器和交換機。) |, h: [$ p3 a. d5 \2 A0 a
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美高森美公司執行副總裁兼通訊及醫療產品部門總經理Russ Garcia表示:「隨著ZL30150加入到我們的產品系列中,我們現在可以提供一套從單一元件涵蓋到完整的硬體與軟體模組的SyncE和1588全面解決方案。ZL30150還容許電訊製造商使用其自己的軟體來定義NCO功能,從而實現產品差異化。」
3 I5 ?& m* i# g) O1 c) }1 t+ N
0 e1 L9 h, x3 X$ W  h3 |ZL30150支援用於10GBASE-W和10GBASE-R的同步光纜乙太網路連接埠,這些應用需要多個頻率轉換通道來實現光纜介面與系統背板同步,以及將線路恢復時脈轉換後送往背板,以用於系統同步。
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美高森美現可大批量供應ZL30150,同時為符合條件的客戶提供同步乙太網路時脈元件的其它資訊,包括全面的資料表和應用指南。若欲得知如何成為合格客戶,請與當地的美高森美業務代表聯繫。
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發表於 2012-11-12 11:49:55 | 顯示全部樓層
Microsemi推出世界第一個專為Broadcom 5G WiFi行動平台而設計的矽鍺技術單晶片RF前端元件
0 B2 Y. q7 `4 D; H% f新型前端元件提供明顯的性能與成本優勢' Z( D# D  g% b, o* M4 @
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC) 推出世界第一個用於IEEE 802.11ac標準的第五代Wi-Fi產品的單晶片矽鍺(SiGe) RF前端(FE)元件。新型LX5586 RF FE元件憑藉業界領先的高整合水準和高性能SiGe製程技術,具有超越現有技術的明顯性能和成本優勢。/ P0 X7 n4 Y1 n

" m$ k8 \7 \4 u6 b3 E這款RF FE元件專為與Broadcom的BCM4335組合晶片搭配使用而設計,適用於智慧型手機和平板電腦等行動平台。BCM4335是業界第一個建基於IEEE 802.11ac標準的組合晶片解決方案,該標準又名為5G WiFi,並且已被廣泛部署。! p2 u4 A" b* h: l! q3 t2 s* x% A+ ^3 B

6 d+ T5 ^; d9 e美高森美公司副總裁兼總經理Amir Asvadi表示:「我們很高興與Broadcom攜手進入802.11ac市場。LX5586是現今市場上最小、最可靠、最高性能的解決方案,是我們向客戶介紹的高整合度Wi-Fi子系統系列中第一款產品。這一款創新前端解決方案為Broadcom的5G WiFi產品提供了固有的可靠性和成本優勢,超越了傳統的多晶片前端模組產品。」
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發表於 2012-11-12 11:50:10 | 顯示全部樓層
Broadcom公司行動無線連接組合產品部門副總裁Rahul Patel表示:「Broadcom正在所有主要的無線產品領域實現5G WiFi生態系統。美高森美新型RF功率放大解決方案進一步增強了5G WiFi技術的吸引力,這項技術獲業界認可為本年度其中一項最重要的創新無線技術。」5 {* [' A) O7 J' j1 ?3 o

, B2 y( K5 J; t' m產業調研機構NPD In-Stat指出,802.11ac市場將會快速成長,到二○一五年晶片組付運量將會超過6.5億,整體Wi-F晶片組銷售額將達到61億美元,預計802.11ac的三大市場將是智慧型手機、筆記型電腦和平板電腦。
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; G3 g' M: m  Z( R美高森美 LX5586元件的主要技術特性包括:
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•        完全整合式單晶片,內置802.11ac 5GHz PA/LNA元件,帶有旁路和SPDT天線開關+ u) v! s1 u! G  M0 }# Z8 s* J
•        2.5x2.5mm的小面積封裝和僅0.4mm的高度1 D5 x9 S/ B- }2 ~2 N& T: I
•        在1.8% EVM情況下具有16dBm的超線性功率輸出,256QAM調變超過80MHz頻寬) ~' [3 q8 s) Y  X# J/ S0 \
•        所有接腳均具有1000V (HBM) 高ESD保護能力
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' i2 {2 z5 g2 w* v/ q4 d3 E. N' Y封裝和供貨0 k3 s) I3 X% N% L* l' h" j

, {, x- b8 V, J+ ?( Y$ b( ELX5586元件採用2.5 x 2.5 mm 16接腳QFN封裝。
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發表於 2013-8-19 13:40:10 | 顯示全部樓層
美高森美針對工業應用推出新一代大功率、高性能650V NPT IGBT) I4 {' L7 r/ F
快速高效的40A、70A和95A電晶體可提供業界最佳的開關損耗性能
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致力於提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC) 宣佈已開始供應下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣雙極閘電晶體(insulated bipolar gate transistors, IGBT) 產品,它們具有45A、70A和95A等三種額定電流可供選擇。美高森美全新NPT IGBT產品系列是專為嚴苛工作環境所設計的產品,尤其適用於太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。- ~5 ~9 N7 t7 x, K6 B5 q9 T

5 y$ W; J, H0 A0 ?1 V美高森美新的功率器件因可提供業界最佳的損耗性能,從而改善了效率,與最接近競爭廠商的IGBT產品相比,效率大約提高了8%。新的NPT IGBT器件還能夠實現高達150 kHz的極高開關速率,在與美高森美的碳化矽(silicon carbide, SiC) 飛輪二極體 (free-wheeling diode)配對使用時,開關速率還可進一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應用,這些領先的650V NPT IGBT藉由替代成本更高的600V至650V MOSFET器件,可讓開發人員降低整體的系統成本。
$ @! s7 q1 @9 B0 q: o! E+ c  m) L, M' q* @0 w
下一代650V產品系列中的所有器件都是建基於美高森美先進的Power MOS 8™ 技術,並採用了最先進的晶圓薄化(wafer thinning)製程。與競爭解決方案相比,可顯著地降低整體開關損耗,及讓器件在難以置信的快速開關頻率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市場累積的雄厚經驗,美高森美希望擴大IGBT市場占有率,根據Yole Développement最新的研究報告指出,此市場將從現今的36億美元增長到2018年的60億美元。( T' q' r/ k3 k  ?- l  q

% s! s% {/ f9 y! j9 C4 J3 @這些NPT IGBT器件易於並聯(Vcesat正溫度係數),可以提升大電流模組的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT),可以在嚴苛的工業環境下可靠地運作。
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