Microsemi推出65nm快閃製程嵌入式平台

amatom

MHL8701和MHL8705在通過MIL-PRF-38534認證的設施中裝配，並且通過美高森美的Hi-Rel Qualification Level (MHQLTM)計畫的品質認證，可充分滿足航太和軍事應用的需求。按照1019方法，這些器件已經達到300 Krad TID的輻射性能，ELDRS 則達到100 Krad額定值，並根據ASTM 1192F進行單粒子事件測試。
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" K% m$ X; {8 h7 }, `產品資訊
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MHL8701和MHL8705器件經優化後可在+5V或+3.3V輸入電壓下運作，分別具有3A 和5A額定電流，並且在2A下具有400mV超低壓降，並且有一個整合式SEE篩檢器，可用來防止通常發生在地平面(ground-level)和空降應用中可能由於次原子輻射粒子所造成的軟資料錯誤。

  Y: f. _8 p1 x/ u+ B主要特性：
- A9 A! }2 K9 F3 t4 @
9 s- O5 W' T  A-        SEE測試達到85 megaelectron-volts (MeV)，無閂鎖
-        ELDRS測試達到100 Krad，供電性能 <+/- 5%
7 o5 N8 B6 X; V-        超低壓降電壓：400mV @ 2.0A
-        最大熱阻：3.0 degrees C/ W
" O% t: M0 B1 `$ j6 X$ O- X-        DLA 標準微電路圖形(SMD)對流程的認證
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+ A" c  H7 l  U' g美高森美全新調節器非常適合與公司的航太額定耐輻射RTAX-S/SL/DSP、RTSX-SU和RT-ProASIC3 FPGA搭配使用，新型調節器通常可以提供FPGA所需的全部內核和I/O電壓。而且這些FPGA器件是特別為航太應用而設計的，使用的是高度可靠的非揮發性反熔絲和快閃記憶體技術，它們通常具有高達400萬等價系統閘和840個使用者I/O密度，為設計人員提供了靈活的可編程平臺。

美高森美為航太和國防產業提供高可靠性元器件的經驗已超過了50年，其抗輻射和耐輻射產品組合包括：FPGA、SoC FPGA、ASIC、POL轉換器、DC-DC轉換器、電壓調節器(線性和開關)、RF元器件、雙極電晶體、MOSFET和氮化鎵(GaN)產品。這些產品中的大多數皆已獲得了DLA認證，符合MIL- PRF- 19500和MIL- PRF- 38534品質要求。

globe0968

美高森美針對工業應用推出新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
. t: z2 r( s  q! T2 A: ?快速高效的40A、70A和95A電晶體可提供業界最佳的開關損耗性能

0 l3 U, M6 p/ S% ?/ {致力於提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣佈已開始供應下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)絕緣雙極閘電晶體(insulated bipolar gate transistors, IGBT) 產品，它們具有45A、70A和95A等三種額定電流可供選擇。美高森美全新NPT IGBT產品系列是專為嚴苛工作環境所設計的產品，尤其適用於太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。

' g4 N5 \5 W' S, `美高森美新的功率器件因可提供業界最佳的損耗性能，從而改善了效率，與最接近競爭廠商的IGBT產品相比，效率大約提高了8%。新的NPT IGBT器件還能夠實現高達150 kHz的極高開關速率，在與美高森美的碳化矽(silicon carbide, SiC) 飛輪二極體 (free-wheeling diode)配對使用時，開關速率還可進一步提高。針對最高150 KHz的較低速率應用，這些領先的650V NPT IGBT藉由替代成本更高的600V至650V MOSFET器件，可讓開發人員降低整體的系統成本。

7 S4 `4 F/ f8 ]1 Y+ [* V下一代650V產品系列中的所有器件都是建基於美高森美先進的Power MOS 8™ 技術，並採用了最先進的晶圓薄化(wafer thinning)製程。與競爭解決方案相比，可顯著地降低整體開關損耗，及讓器件在難以置信的快速開關頻率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市場累積的雄厚經驗，美高森美希望擴大IGBT市場占有率，根據Yole Développement最新的研究報告指出，此市場將從現今的36億美元增長到2018年的60億美元。
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  i- E( w! _. S0 G3 q這些NPT IGBT器件易於並聯(Vcesat正溫度係數)，可以提升大電流模組的可靠性。它們還具有額定短路耐受時間(short circuit withstand time rated, SCWT)，可以在嚴苛的工業環境下可靠地運作。

ritaliu0604

美高森美推出全球唯一具有自加密功能的0.5TB 2.5” SATA SLC固態驅動器
) S0 C3 Z0 C3 M: n6 ~2 STRRUST-Stor Series 200 SSD可為行動視頻監控運作、SAN和其它資訊敏感應用 提供出色的資料保護性能

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8 K5 c) `: Z* {9 s5 v功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)針對行動視頻監控運作、儲存器區域網路(SAN)和其它需要出色即時資料保護的大容量儲存應用，推出全球唯一的安全的0.5 TB (half-terabyte) 固態驅動器(solid state drive, SSD)產品。堅固耐用的TRRUST-Stor™ Series 200 2.5” SATA SSD在持續的200 MB/s速率下運作，並且提供低於10s的業界最快速且完全以硬體為基礎的擦除時間，這款具有自加密功能的0.5TB SSD現已在供應中，目前也已出貨給多家客戶，以支援他們需要大容量安全儲存能力的應用。

美高森美功率管理集團總經理Charlie Leader表示：“資料儲存安全性和可靠性是保護關鍵性資料避免損失或破壞的主要防禦手段，這些損失或破壞可能導致個人、企業、機構和國家處於高風險狀態。我們的TRRUST-Stor驅動器是依據最高的可靠性和資料完整性的要求所設計生產的，而且是目前市場上最安全、最可靠的SSD。我們還充分利用自己的小型化技術來開發這款高度僅為9.5 mm的SSD產品，以滿足SAN對小外形尺寸參數的要求。”

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這款0.5TB TRRUST-Stor SSD以多層級的安全特性，為實體資料儲存提供軍用等級的耐用性，以及無與倫比的安全裝置和程式。一組業界領先的特性可以防止硬體和軟體屏障被破壞和未經授權的存取。這款驅動器具有緊湊的內建直線型加密器，帶有硬體實施及使用XTS模組密碼模式NIST認證的AES 256加密。
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1 D  F- s, v2 R8 y% ~" v' A耐用特性包括出色的錯誤校正、9PB(petabytes)寫入耐用性、功率損耗保護和超過200萬小時的平均故障間隔時間(MTBF)，強化的機械結構可確保在極端的溫度、濕度、震動和振動條件下仍可維持正常的運作。
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TRRUST-Stor Series 200採用美高森美第二代的Armor™處理器，從而實現了穩健且強大的性能。Series 200 SSD還提供了密匙載入能力。客戶可以輸入自己的AES-256密匙，清除它們，並且根據需要重新載入。美高森美的TRRUST-Purge™技術在啟動時可以在不到30ms時間內破壞密匙。
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TRRUST-Stor Series 200特性:
* Q8 M" A, h8 W/ o" Z        容量：0.5TB非揮發性儲存，使用可靠且壽命長的SLC NAND 快閃記憶體
# H/ U* q3 T+ @9 k9 v9 w; n        性能：200 MB/s持續讀寫速率
        加密：採用XTS的AES-256加密硬體實施，用於保護敏感性資料
        安全性：使用可載入AES密匙的靈活密匙管理，可選且基於硬體的認證實現了更高的安全性水準。TRRUST-Purge功能可以在不到30ms的時間內擦除密匙，使得資料無法恢復。
        美國製造，完整的 BOM和裝配控制
        快速擦除能力：在不到10s的時間完成整個驅動器基於硬體的快速清除
        高可靠性：是為了可承受嚴苛環境所開發的TRRUST-Stor SSD，其耐用性規範可讓驅動器承受高達 3000 G振動和 30 G Grms振動
7 e: z1 R) g6 Y. H+ J        報廢管理：利用美高森美 Armor 快閃管理處理器和IP，從而減緩產品廢棄的問題

要瞭解有關TRRUST-Stor產品的更多資訊，請瀏覽公司網頁 http://www.microsemi.com/solid-state-drives/solid-state-drives。如需完整的資料表，請將電子郵件寄至 sales.support@microsemi.com。
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- J- Y) T4 F1 E5 K- X% m' H針對嚴苛應用且廣泛的多晶片封裝 (MCP)、商業現貨 (COTS)記憶體、微處理器和組合 MCP，美高森美擁有完整的設計、製造和測試能力。這些微電子產品還可以進行強化和處理以避免被篡改。

innoing123

美高森美新型瞬態電壓抑制二極體 可保護飛機電氣系統避免雷擊所引起的損壞
: ]; z7 w" p# z1 Y& \( O6.5kW 和 7.5kW解決方案亦適用於其它嚴苛的航空、軍事、汽車和工業應用

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation, 紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 發佈兩款新的塑膠大面積器件(plastic large area device, PLAD)瞬態電壓抑制(TVS)二極體產品，它們可保護飛機電氣系統免於雷擊所造成的損壞。新型6.5kW 和 7.5kW器件是美高森美創新性 PLAD TVS產品組合中的最新產品，與公司現有的15kW 和30kW解決方案相比，其特性在於占位面積縮小了50%。新的TVS二極體具有10V至48V的電壓範圍，並且符合RTCA DO-160產業標準對飛機雷擊保護的要求。
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! e( x; _9 j( x7 Q9 j' D  H0 S. B新產品獨特的特性包括美高森美具有專利的低側高PLAD表面安裝封裝，可讓產品開發人員縮小電路板空間和整體的元件重量。與替代的多器件解決方案相比，這款高度整合的單一元件二極體更加可靠，讓它適用於嚴苛的航空、軍事、汽車和工業應用。

美高森美高可靠性產品部門行銷和應用總監Durga Peddireddy表示：“飛機電氣化、更高可靠性和更高燃油效率等發展趨勢愈來愈強勁，這股強勁的發展趨勢帶來了對於更加穩健、更輕和更小的TVS解決方案的需求，以便為瞬態過電壓事件提供出色的保護功能。作為高可靠性解決方案的領導廠商，美高森美繼續從事系列的創新產品開發，以支援不斷演進且嚴苛的產業需求。”
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美高森美公司的TVS二極體通過在雷擊之後不超過數奈秒的時間內進入雪崩擊穿狀態，鉗制瞬態電壓並且將電流導引到地面，從而為飛機電氣系統提供了極為關鍵性的保護功能。

amatom

美高森美宣佈提供帶有PCI Express展示設計和指南的低成本IGLOO2 FPGA評估套件
美高森美將在即將在全球舉辦的 IGLOO2 FPGA系列研討會中 重點介紹低成本的評估套件，並提供99美元的導入價格

. t! T. ?* a7 J+ p2 R4 z9 Z9 ?5 y$ `致功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣佈開始供應低成本的IGLOO®2 FPGA評估套件，為客戶提供與PCI® Express (PCIe) 外形尺寸相容的評估平台。這款功能齊全的工具套件可讓設計人員快速地評估美高森美最近發佈的IGLOO2 FPGA器件之整合度、低功耗、安全性、即時性和高可靠性特性。

) f# c1 p3 `& oIGLOO2 FPGA評估套件包含PCIe控制板展示設計，它可以簡化和加快收發器建基於I/O FPGA的設計開發，以構建基於PCIe和Gigabit Ethernet的系統。由於這款套件與PCI Express外形尺寸相容，讓它可以使用帶有ExpressCard插槽的標準型膝上型電腦和帶有PCIe插槽的桌上型電腦來進行設計、評估和開發，設計人員還能夠探測IGLOO2 FPGA器件的高性能記憶體系統(HPMS)性能。

美高森美公司SoC產品市場行銷副總裁Paul Ekas表示：“這款低成本平臺可以對我們最新的FPGA系列器件進行評測和原型構建，並且提供對包括PCIe在內的通用電氣介面之完全存取，這是許多主流應用的需求。這款套件還包括在我們業界領先的低功率IGLOO2 FPGA上進行功率測量的方法；在設計低功率是關鍵因素的產品時，這是一項很重要的特性。”

IGLOO2 FPGA評估套件帶有12K邏輯單元的M2GL010T-1FGG484，並且帶有可與10/100/1000 Ethernet介接的RJ45介面、全雙工SERDES SMA、 512MB LPDDR、64MB SPI Flash、USB-UART連接，以及I2C、SPI和GPIO接頭。這款套件帶有一個12V電源，但也可以通過PCIe邊緣連接器來供電，並以FlashPro4 JTAG程式設計器來進行程式設計和除錯。該套件還可以開發和測試PCIe Gen2 x1設計，並且使用全雙工SERDES SMA線對來測試FPGA收發器的訊號品質。此外，測試點可方便地拉出來，以便可以標準的數位萬用表進行功率測試。

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全球 IGLOO2研討會系列

; X! [+ `" J3 ]. ^- d/ A美高森美公司將與其全球分銷合作夥伴合作，在全球各地舉辦一系列的技術研討會，這些研討會包括使用IGLOO2 FPGA評估套件和Libero系統級晶片 (SoC)的實作訓練課程，活動的舉辦日期將公佈在公司網站www.microsemi.com的活動行事曆上。
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# y3 U+ d' F9 @* a" ^關於IGLOO2 FPGA器件
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美高森美公司專注的策略是以具有差異性且成本和功率皆經過優化的架構，提供建基於LUT的架構、5G收發器、高速GPIO、RAM模組、高性能記憶體子系統，以及DSP模組，以滿足現今成本優化FPGA市場的需求；IGLOO2 FPGA器件的發展仍將繼續堅守此一策略。與前一代器件相比，下一代IGLOO2架構提供了高出五倍的邏輯密度和超過三倍的架構性能，並且結合了一個非揮發性建基於快閃的架構，與其同級的其它產品相比，它具有數目最多的通用I/O、5G SERDES介面和PCIe端點。IGLOO2 FPGA具有業界最佳的功能整合，以及最低功率、最高可靠性和最先進的安全性。

價格和供貨
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9 n  l  m. F4 t0 N& F9 X美高森美公司已開始供應IGLOO2 FPGA評估套件M2GL-EVAL-KIT，前1000個訂購的導入價格(introductory price)為99美元，這款套件包括美高森美的Libero SoC Gold軟體許可，在以美高森美 FPGA和SoC FPGA設計時，是一套功能完整的軟體工具集。Libero SoC可支援IGLOO2 FPGA系列，管理從設計入門、合成和模擬，直到佈局佈線、定時和功率分析整個設計流程。它還可以用於開發FPGA器件和使用套件提供的參考設計。

innoing123

美高森美發佈寬頻閘道適用的低成本miSLIC語音線路電路
全球出貨領先的語音線路(Voice Line)電路廠商將繼續增強其產品的組合
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+ y" l: v5 \' C1 @功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)在阿姆斯特丹寬頻世界論壇(Broadband World Forum)貿易展上發表了全新的miSLIC™ 系列語音線路電路產品。新的第五代電話線路介面解決方案為全球網路營運商提供了業界最經濟的解決方案，因為它可在包括家庭閘道器、DSL整合式存取裝置(integrated access device, IAD)、電纜嵌入式多媒體終端 (embedded multimedia terminal adapter, eMTA)和光纖入戶 (fiber-to-the-premise, FTTX) 解決方案等寬頻產品中增加兩個語音通道。

  N6 w/ b1 E* p) m4 k新的Le9662和Le9672是針對那些需要共用或獨立供電的應用而設計的，兩個miSLIC系列語音線路電路支援振鈴和系統功率管理，能夠為兩路電話的設計提供高能效的控制，滿足歐盟寬頻設備能耗行為準則規範 (CoC) 的要求。新的解決方案還與其它領先的系統單晶片(system-on-chip, SoC) 供應商為家庭閘道器應用而開發的處理器相容。

) K" z/ u. ?7 y$ l% w美高森美語音產品事業群市場總監Nigel Wakley表示：“對於在具有VoIP功能的寬頻閘道器上新增兩個語音通道，美高森美新的miSLIC系列語音線路電路產品和共用升壓電源是一個成功的組合。美高森美已在全球各地出貨超過9億個語音線路電路產品，憑著為客戶提供具有競爭優勢的創新產品，美高森美將繼續在這個子市場中鞏固其領導地位。”
; [3 U2 g9 V5 w
9 m) t: ]3 h. [( G2 z. b/ A新的Le9662產品具有專利申請中的共用電源設計，可與現今可用的最高效電源相媲美，在低功耗待機狀態下，每通道僅消耗大約51毫瓦功率。與其他電源設計相比，此一獨特設計還可節省大約30%的成本。另外，該產品所提供更為經濟的雙層參考設計電路板可進一步降低開發成本。
8 U' S; q$ m* }. h
, K2 I9 L3 m8 p6 L! }美高森美的家庭閘道解決方案可以讓客戶以低成本且簡單易的方式為用戶端設備(CPE)增加語音功能。這些產品具有目前最高的整合度，並且已針對短回路、功率敏感應用而優化了。美高森美還提供一款擴展應用工具組來作為這些器件的補充，其中包括軟體開發工具、參考設計和開發平臺，它們將有助於縮短上市時間。
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miSLIC系列解決方案採用56引腳 QFN封裝，現在可提供樣品。訂購1,000片數量，起價為2.70美元。

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Microsemi為旗下主流FPGA產品推出 專為要求小外形尺寸之應用而設計的全新小型封裝器件
' B" R( \, `8 R! F4 H2 B全新的小型封裝選項可額外節省高達50%的PCB面積，並強化了美高森美在小外形尺寸單晶片可程式設計邏輯解決方案領域的領導地位
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣佈為旗下的主流SERDES-based SmartFusion®2 系統單晶片(SoC) FPGA和IGLOO®2 FPGA器件推出全新的小外形尺寸解決方案，這兩款採用非揮發性Flash技術的FPGA器件，可省去對外部配置記憶體的需求，為設計人員提供業界目前最小的占位面積。新封裝的推出擴大了美高森美真正基於快閃技術的可程式邏輯器件的產品組合，為這兩種產品系列增添了多種小外形尺寸封裝，包括FCS325 11x11mm、VF256 14x14mm、FCV484 19x19和VQ144 22x22mm。

美高森美市場行銷總監Tim Morin表示：“客戶對於高可靠性、安全性和小占位面積SoC FPGA器件和FPGA解決方案需求不斷增加，這正是我們為最新主流FPGA產品提供多種小外形尺寸解決方案的催化劑。我們很高興擴展了主流FPGA產品的組合，為客戶提供更多的競爭優勢。”

美高森美建基於快閃技術的主流FPGA本身就具有較小的電路板空間需求，而全新小外形尺寸解決方案的推出更進一步擴大了此一優勢。例如，配置一個90K LE 建基於SRAM 的 FPGA器件所需的SPI flash約佔用了100 平方毫米 (mm)的額外承載板空間，這大約是採用11x11封裝的M2S090器件所佔用的全部面積。除了節省高達50%的PCB空間之外，與其他同類FPGA產品相比，新封裝解決方案也因器件外部互連數目的減少而提高了系統的可靠性。

最佳化後的新小外形尺寸解決方案適用於通訊、軍事/國防、工業自動化、汽車和視頻/成像市場，以滿足業界對更小占位面積解決方案日益增加的需求，同時也讓美高森美這類產品的觸角擴展到這些市場。這項優勢為客戶提供了更低的整體營運成本，並為像是Smart SFP™、安全的公共安全無線電和小外形尺寸地球物理學感測器存取等應用的設計人員，提供了在現今市場上具有最先進安全性、最高可靠性和最低功耗的FPGA器件。

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美高森美推出市面上唯一的低雜訊晶片級原子鐘 繼續保持在定時解決方案領域的領導地位和創新
低雜訊 CSAC產品結合了原子鐘特性和出色的相位雜訊性能，是軍事和工業應用的理想選擇

1 }( E# F; N  S/ C6 Y0 k4 ~功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 宣佈推出市面上唯一商用的低雜訊晶片級原子鐘(Low Noise Chip Scale Atomic Clock, LN CSAC)產品。LN CSAC通過增添低雜訊性能，增強了美高森美現有CSAC產品在小尺寸、重量與低功耗(SWaP)等特性的優勢。

美高森美在處理、封裝和製造方面的創新技術，提供了具有如低雜訊等先進性能和指標的可攜式原子鐘；低雜訊是軍事和工業領域中各種雷達和通訊應用的關鍵參數。根據來自Dedalus Consulting 諮詢公司的資料，OEM可攜式原子鐘市場大約為1.7億美元，而新型LN CSAC產品可讓美高森美擴展其在原子鐘市場的領導地位和在整體市場的市占率。
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. T6 p& q# T1 U( u5 b/ d/ T7 M: C美高森美的LN CSAC因在原子鐘的控制回路中使用一個超低功率晶體振盪器，而將最佳的恆溫晶體振盪器(oven-controlled crystal oscillator, OCXO)和標準CSAC技術結合在一起，以優化阿倫方差(Allan deviation)和相位雜訊。

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美高森美太空、國防和航空電子設備(Space, Defense and Avionics, SDA)業務區域總監Peter Cash表示：“LN CSAC充分利用了本公司所開發的先進超低功率原子鐘技術，生產出目前市面上唯一一款商用的低功率參考頻率和在業界十分獨特的定時模組。新器件可產生以電池電力運作的原子鐘精度和晶體振盪器信號純度，從而為各式各樣的應用提供低功率訊號產生的功能。這些功能能夠在典型的恆溫晶體振盪器的容量內運行，但只需後者的一小部分功率，並具有在精密定時模組中常見的各種特性。”
3 F- D# Y$ h1 Q$ }供貨

9 j& U8 I- E# s' r9 v( N0 ^LN CSAC產品的型號為 090-01921-000，現已可供訂購。
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3 g2 M/ z& K7 x! L, j關於LN CSAC

1 ~( n2 O3 s4 U) C" pLN CSAC是美高森美Quantum™原子鐘系列的最新產品，其差異性在於具有業界領先的SWaP消耗量。該產品在1 Hz偏移和155 dBc本底雜訊(noise floor)下的相位雜訊性能為-87 每赫茲載波分貝 (dBc/Hz) ，並且功耗僅為240 mW。1秒的阿倫方差提升至2E-11。LN CSAC保持了CSAC的定時子系統功能，包括秒脈衝 (pulse per second, PPS)的控制和分配、數位頻率控制、綜合遙測和診斷，以及一天時間 (time of day, TOD)產生。