Microsemi推出65nm快閃製程嵌入式平台

mister_liu

美高森美為NPT IGBT產品系列增添多款新器件
針對大功率、高性能的工業應用而設計的全新25A、50A和 70A IGBT器件
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC)宣佈在其新一代1200V非擊穿型(non-punch through, NPT) IGBT系列中新增十多款全新器件，其中包括額定電流為25A、50A和70A的器件。
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" {% ?, f+ e" G1 r2 m6 Q美高森美的NPT IGBT產品系列是針對各式各樣需要大功率和高性能的工業應用而設計的，最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器，以及不斷電供應系統和開關電源。1200V產品系列中的所有器件均以美高森美先進的Power MOS 8™技術為基礎，相較於其他的競爭解決方案，總體開關和導通損耗顯著地降低至少20%。
" ]0 k+ N: n/ l; u' a
7 z2 ]# g, s& M) G3 V2 q美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產品系列中的所有器件一樣，可與美高森美的FRED或碳化矽肖特基二極體封裝在一起，以便為工程師提供高整合度的解決方案，從而簡化產品的開發工作。其它特性包括：
- [* _# c1 e8 F. L) C  V. i
, A9 b# S9 T! x6 a* K•        與同類器件相比，柵極電荷顯著減少，具有更快的開關性能；
; w' w) i, j! j•        硬開關運作頻率超過80KHz，可實現高效的功率轉換；
% W6 L& C7 f$ y•        易於並聯(Vcesat的正溫度係數)，提升大功率應用的可靠性
- I8 Y% O! P) }6 d/ A7 {( J•        額定短路承受時間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT)，在需要短路能力的應用中實現可靠的運作
2 ?! a" P* p8 |' P9 W1 N
除了器件優勢之外，美高森美還為NPT IGBT器件提供貼片-D3封裝，可讓設計人員實現更高的功率密度和更低的製造成本。
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# K' g+ w# {* i: Z: i; e封裝和供貨
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0 N* q. `7 _) `0 G! J美高森美的1200V NPT IGBT產品系列現在包括20多款器件，額定電流有25A、40A、50A、70A和85A。IGBT產品採用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。

innoing123

美高森美為美國國防部後勤機構提供合格二極體產品 用於高功率密度航空航太和國防領域應用 Thinkey 蕭特基二極體具有高可靠性和低熱阻

致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司 (Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣佈提供符合美國國防部後勤機構(DLA)要求的全新蕭特基二極體產品系列，適用於需要高功率密度和優良散熱性能(通常為0.2-0.85 C/W)的航空航太和國防領域應用。新的二極體產品採用Microsemi專利的ThinkeyTM封裝，具有穩固的陶瓷和金屬結構，無粘接引線，以提高其可靠性。
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美高森美高可靠性產品部門副總裁兼總經理Simon Wainwright博士表示：「Microsemi擁有數十年為航空航太和國防社群設計和提供高可靠性解決方案的經驗，我們獨特的Thinkey封裝是專為滿足這些領域之客戶的嚴苛要求而開發的數項創新之一，我們將加入其它DLA-qualified元件，繼續擴大Thinkey蕭特基二極體產品組合。」
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# _5 |3 |: x8 G9 o- w* N! E- j$ k" O/ e新的二極體產品支援高浪湧特性並實現雙面冷卻，由於元件結構中沒有使用軟焊料，所以可防止焊封與安裝焊料的混合，並且在電力迴圈和高溫存儲期間消除焊料潛變和再結晶(re-crystallization)。
0 `$ _6 Q; |. ]; V+ I
( m. k6 q7 W9 d, Z+ T產品規格：
8 u, v$ m/ E5 _8 x6 x- f- B. K6 z-        1N6910UTK2至1N6912UTK2產品系列和1N6940UTK3至1N6942UTK3產品系列，陽極帶(AS)，陰極帶(CS)，符合MIL-PRF-19500/723/726的要求
-        電壓：15V、30V和45V
) o) U1 [& L* Y) x) t+ b: i4 u; r-        電流：25A (用於1N6910UTK2至1N6912UTK2產品)以及150A (用於1N6940UTK3至1N6492UTK3產品)
. }- Q: m6 W$ i0 W5 J( f. _-        具有JAN、TX和TXV DLA品質等級
. k! E# f5 |' H0 P* b5 _" D& E-        與TO254封裝相比輕9倍

tk02561

使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)提供的系統優勢包括：
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•        具有簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要額外整合較低功率元件
•        最高峰值功率和功率增益，可減少系統功率級數與末級整合
1 L: R9 W5 U1 O•        單級對管提供具有餘裕的1.0 kW峰值輸出功率，經由四電路組合提供全系統2kW峰值輸出功率
' [7 x1 U$ U) D3 o. a  h# X- g5 a•        65V的高運作電壓縮小電源尺寸和DC電流需求
- Q5 V. @6 {" U3 f+ b- c•        極其穩健的性能提升了系統良率，而且
6 N; }/ S' d- J: B•        放大器尺寸比使用矽雙極性晶體管(Si BJT)或橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)元件的產品減小50%

4 K( v3 H+ U" u; S* M8 u) j封裝和供貨：
2 D9 U) J  N: J- I, ^  K
$ j( n" h3 z! b) `, e$ E2729GN-500電晶體採用單端封裝供貨，在密封性焊料密封封裝中採用100%高溫金鍍金線材佈線，以達到長期軍用級可靠性。

tk02561

Microsemi提供S波段 RF功率電晶體適用於空中交通管制雷達航空應用 現提供新型500W GaN on SiC電晶體產品

+ \& b% t; W1 W4 J* |2 h% v- N% R$ c功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 擴大其建基於碳化矽襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術的射頻(RF)電晶體系列，推出新型S波段500W RF元件2729GN-500，新元件針對高功率空中交通管制機場監視雷達(ASR)應用，ASR用於監視和控制在機場大約100英哩範圍的飛機。
% q0 ]' n- y: p9 E* J
% ^, K+ Q- L( S. y4 `; j7 K6 j/ h在2.7 至2.9 GHz頻段上，2729GN-500電晶體具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%洩極效率性能，經由單一元件在這個頻段上提供最高功率，主要特性包括：
& i/ n. M, M/ A+ X3 |" [, E3 c
•        標準脈衝間歇格式：           100µs, 10 % DF
* M7 ?& K3 I* K' q& w" }; s' Z5 j•        出色的輸出功率：                 500W
: I, l; W- |; K2 v# {# N•        高功率增益：                         >11.5 dB min
•        洩極偏壓−Vdd：                 +65V
% e  i, X9 r( ?% X7 ^( g•        低熱阻：                                0.2℃/W

amatom

Microsemi新型SiC蕭特基二極體提升電氣功率轉換效率 新元件針對高功率高電壓工業應用

8 q$ p. v2 w, p  E! k功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出採用碳化矽(SiC)材料和技術的全新1200 V 蕭特基二極體系列，新的二極體產品針對廣泛的工業應用，包括太陽能逆變器、電焊機、等離子切割機、快速車輛充電、石油勘探，以及十分著重功率密度、更高性能和可靠性的其它高功率高電壓應用。
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與矽(Si)材料相比，碳化矽(SiC)材料具有多項優勢，包括較高的崩潰電場強度和更佳導熱率，這些特性可讓設計人員創建具有更好性能特性的元件，包括零逆向恢復、不受溫度影響特性、較高電壓能力，以及較高工作溫度，從而達到新的性能、效率和可靠性水準。

除了SiC二極體元件固有的優勢之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片、背部可焊接D3 封裝SiC 蕭特基二極體的製造商，容許設計人員達到更高的功率密度和較低的製造成本。

8 E9 I' w8 W6 }- c! ]/ ^* A美高森美公司功率產品部總經理Russell Crecraft表示：「我們利用超過二十五年的功率半導體元件設計和製造專有技術，推出具有無與倫比的性能、可靠性和整體品質水準的SiC二極體系列。下一代功率轉換系統需要更高的功率密度、更高的運作頻率更高的和效率，而美高森美新的碳化矽元件能夠協助系統設計人員滿足這些需求。」
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) G' _$ N6 l1 A! p# f. L& c全新1200V SiC 蕭特基二極體產品陣容包括：

' x1 z. x/ \( o$ i; Y3 l•        APT10SCD120BCT (1200V、10A、共陰極TO-247封裝)
•        APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封裝)
•        APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封裝)
. y  [2 \3 S' f6 z, F•        APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封裝)
; C9 y( |- K' S% y- k•        APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封裝)

amatom

新推出的15 kW和30 kW PLAD設計能夠降低電壓湧浪保護元件的成本，防止由於電感性負載開關或雷電間接效應造成的數位訊號處理破壞、零組件損壞和功能中斷。PLAD封裝結合了大晶片尺寸和一個用於散熱的大型裸露金屬底片，提供相比通孔設計更佳的電力輸送性能。PLAD還與標準表面安裝組裝自動化製程相容。
; W- Q% C2 f$ t1 C2 v
9 b5 b2 s0 V- L1 t$ f15 kW系列TVS元件的工作電壓範圍為7V至200 V(待機)，30 kW系列的工作電壓範圍則為14V至400 V，兩個產品系列均備有單向和雙向型款。這些元件採用RoHS相容形式(2002/95/EC)或SnPb接腳鍍層。它們不含鹵素(IEC 61249-2-21)並達到MSL level 1 (J-STD-020)產業標準。


  B. B: i) f" z6 X( o7 O) o" V# A% c美高森美所有的PLAD封裝元件均經過100%湧浪測試，並可提供各種「強化篩選」(upscreened)型款元件，這些元件經過各種水準的附加認證和篩選測試(與應用於JANX軍用等級元件的測試相似)，以便消除元件初期失效率和提升可靠性。材料和製造更改只依照客戶的製程更改通知(Process Change Notification)來進行。

除了TVS元件之外，美高森美航空產品系列包括：可程式閘陣列(FPGA)、IC、整合型標準和客製化產品、功率模組、電源、射頻、微波和毫米波解決方案，以及高可靠性非半導體產品。許多元件具有耐輻射或抗輻射特性，經過Class-B QML和DSCC認證。

amatom

Microsemi推出新型高成本效益瞬變電壓抑制器為飛機提供雷擊保護
; [9 R4 N1 R; o& m. [! _$ Z成本更低的專利PLAD封裝可將多次閃擊雷電保護元件價格減少達20%

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出兩款採用專利塑料大面積元件(plastic large area device, PLAD)封裝的全新低成本瞬變電壓抑制器(transient voltage suppressor, TVS)產品。成本更低的15kW MPLAD15KP和30kW MPLAD15KP TVS系列可以滿足飛機的雷電保護要求，包括多次閃擊標準(RTCA DO-160E)。隨著複合材料機身的推出和使用率日益增加，雷電保護變得更加重要。兩款元件均採用表面安裝封裝，並且與美高森美前代PLAD封裝TVS元件逆向相容，電氣或熱性能規範均無改變。

/ P+ w0 _- @5 i& `! V/ h! Y& e美高森美高可靠性產品部門行銷總監Durga Peddireddy表示：「我們經由重新設計專有PLAD封裝，可為客戶提供將TVS保護元件成本降低大約20%的高可靠性解決方案。此外，我們的單一元件解決方案可以節省電路板空間，減輕重量，同時提高可靠性，超越通常用於提供這些高水準保護功能的多元件設計。」

globe0968

Broadcom公司行動無線連接組合產品部門副總裁Rahul Patel表示：「Broadcom正在所有主要的無線產品領域實現5G WiFi生態系統。美高森美新型RF功率放大解決方案進一步增強了5G WiFi技術的吸引力，這項技術獲業界認可為本年度其中一項最重要的創新無線技術。」

產業調研機構NPD In-Stat指出，802.11ac市場將會快速成長，到二○一五年晶片組付運量將會超過6.5億，整體Wi-F晶片組銷售額將達到61億美元，預計802.11ac的三大市場將是智慧型手機、筆記型電腦和平板電腦。
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& D8 p5 e  ^/ d5 z8 b, `美高森美 LX5586元件的主要技術特性包括：
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•        完全整合式單晶片，內置802.11ac 5GHz PA/LNA元件，帶有旁路和SPDT天線開關
•        2.5x2.5mm的小面積封裝和僅0.4mm的高度
•        在1.8% EVM情況下具有16dBm的超線性功率輸出，256QAM調變超過80MHz頻寬
•        所有接腳均具有1000V (HBM) 高ESD保護能力
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封裝和供貨
" K, C8 {8 ]! T; P8 J+ a
LX5586元件採用2.5 x 2.5 mm 16接腳QFN封裝。

globe0968

Microsemi推出世界第一個專為Broadcom 5G WiFi行動平台而設計的矽鍺技術單晶片RF前端元件
新型前端元件提供明顯的性能與成本優勢
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2 B6 J. [( Z' M5 d/ n  K功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出世界第一個用於IEEE 802.11ac標準的第五代Wi-Fi產品的單晶片矽鍺(SiGe) RF前端(FE)元件。新型LX5586 RF FE元件憑藉業界領先的高整合水準和高性能SiGe製程技術，具有超越現有技術的明顯性能和成本優勢。
6 D4 \+ n, x# N" E; x
! g8 ], m" ]7 _) E: ~$ [/ O% i這款RF FE元件專為與Broadcom的BCM4335組合晶片搭配使用而設計，適用於智慧型手機和平板電腦等行動平台。BCM4335是業界第一個建基於IEEE 802.11ac標準的組合晶片解決方案，該標準又名為5G WiFi，並且已被廣泛部署。

美高森美公司副總裁兼總經理Amir Asvadi表示：「我們很高興與Broadcom攜手進入802.11ac市場。LX5586是現今市場上最小、最可靠、最高性能的解決方案，是我們向客戶介紹的高整合度Wi-Fi子系統系列中第一款產品。這一款創新前端解決方案為Broadcom的5G WiFi產品提供了固有的可靠性和成本優勢，超越了傳統的多晶片前端模組產品。」

amatom

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 推出SECURRE-Stor™高安全性加密2.5英吋SATA固態硬碟(SSD)，該產品專為商業、銀行/金融、醫療、工業和智慧電網應用提供出色的資料保護功能而設計。SECURRE-Stor具有100ms快速刪除特性，可以在不到10秒的時間內完全刪除硬碟內容，是用於安全的膝上型電腦、自動櫃員機和其它需要使用硬碟的系統之理想解決方案。這些系統的硬碟過去可能需要以物理方式破壞，才能防止資料落入不當之手。SECURRE-Stor已經取得美國聯邦資訊處理標準(FIPS) AES 256加密認證，並提供64BG和128GB記憶體密度。

9 J4 Y+ [9 w, k  A& c0 l- A9 i美高森美公司策略發展副總裁兼副總經理BJ Heggli表示：「SECURRE-Stor適合滿足要求高度資料保護，需要超越加密功能的更強大安全SSD產品的應用。除了安全記憶體產品之外，美高森美擁有業界領先的安全產品組合，包括FPGA、SoC、加密和完整的安全相關服務系列。我們將繼續專注於增強產品陣容，為安全不容妥協和可靠性十分重要的領域提供新型解決方案。」

關於SECURRE-Stor

美高森美獨特的SECURRE-Stor SSD利用多種特性來保護資料和確保可靠的性能，包括密鑰管理(一次性、永久和客製化密鑰)、256位元密碼短句保護和硬體認證。此外，經由錯誤校正、損耗均衡和故障防止方法，均可以在關鍵性應用中防止出現災難性資料故障。 美高森美單晶片整合式記憶體處理器提供豐富的功能，以及支援各種作業系統要求所需的靈活性。SECURRE-Stor的其它特性包括自監控、分析和報告技術，以及內置測試功能。
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SECURRE-Stor在美國設計和製造，為了更能滿足客戶需求，還提供包括客製化元件外形尺寸和專用韌體等附加選項。美高森美擁有用於廣泛的多元件封裝(multiple component package, MCP)、商用現貨(commercial-off-the-shelf, COTS)記憶體、微處理器，以及用於嚴苛應用的MCP組合的全面設計、製造和測試能力。這些微電子產品可以針對防篡改來進行加固和處理。要瞭解更多的資訊，請致電(1)602-437-1520。

失眠

没听说过这个公司啊，稍微看一下

innoing123

SmartFusion2：最低的功耗

, b* d6 f9 Y$ l0 qSmartFusion2 SoC FPGA為設計人員提供了比同等的SRAM FPGA元件低100倍的待機功耗，且不影響性能。設計人員可以經由簡單的指令以啟用Flash*Freeze待機功耗模式。在此模式中，可以保持所有寄存器和SRAM的狀態、設置I/O狀態、低頻率時脈運行微處理器子系統(microprocessor sub-system，MSS)與MSS週邊相關的I/O。SmartFusion2 SoC FPGA元件能夠在大約100µs內進入和退出Flash*Freeze模式，適用於需要短暫間歇活動的低工作週期應用，例如十分著重尺寸、重量和功率的國防無線電應用。  

$ x: o; W; |. a) Z- Y9 C" ESmartFusion2: 技術資訊
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美高森美建基於快閃技術的SoC FPGA為低功耗重新定義。其50K查找表(look-up table，LUT) 元件靜態功耗低達10mW，包括處理器且不會犧牲性能。採用Flash*Freeze待機模式，功耗更下降至1mW，待機功耗比類似的SoC FPGA或FPGA元件降低大約100倍。

Microsemi SmartFusion2元件具有從5K LUT到120K LUT的密度範圍，加上嵌入式記憶體和用於數位訊號處理(digital signal processing，DSP)的多個累積模組。高頻寬介面包括具有靈活性5G SERDES的PCI Express (PCIe)，以及高速雙數據速率DDR2/DDR3記憶體控制器。該元件還包含了採用一個166 MHz ARM Cortex-M3處理器、片上64KB eSRAM和512KB eNVM的微處理器子系統(microprocessor sub-system，MSS)，以儘量減少整體系統成本。MSS具有增強性嵌入式跟蹤巨集單元(embedded trace macrocell，ETM)、8 Kbyte指令快取記憶體，以及包括控制器局域網(controller area network，CAN)、Gigabit乙太網路和高速USB 2.0的週邊。安全加速器選項可用於資料安全應用。

' a3 z2 ?; v$ M2 O7 Q採用SmartFusion2進行設計
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) R, ~6 I8 d/ S  M. l) u5 [系統設計人員可以採用新推出且易於使用的Libero® SoC軟體工具套件來設計SmartFusion2元件。Libero SoC整合了來自新思(Synopsys)的業界領先的合成、除錯軟體和DSP支援，來自明導國際(Mentor Graphics)的模擬，以及功率分析、時序分析和按鍵式設計流程。韌體開發完全整合在Libero SoC內，採用來自GNU、IAR和Keil公司的編譯和除錯軟體。而依照系統建立器(System Builder)的選擇，可以自動生成所有元件驅動程式和週邊初始化。ARM Cortex-M3處理器包含對EmCraft Systems的嵌入式Linux，以及Micrium的FreeRTOS、SAFERTOS和uc/OS-III等作業系統的支援。
5 _$ J: {- V4 M0 x
5 v# ^/ p% L+ I8 a$ ^8 x! b' W% v供貨
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8 Q4 u& a- w! s) L6 B- X& r客戶現在可以開始使用SmartFusion2 M2S050T工程樣品進行設計，美高森美將於二○一三年初推出第一批量產矽片。

innoing123

SmartFusion2：設計和資料安全性
: J, X+ e6 n. e0 l: O5 U( _
! x) ~5 ]  u. }+ _3 m近期針對工業、國防、航空、通訊和醫療系統的攻擊事件，突顯了對電子系統內的安全性和防篡改防護措施的需求。SmartFusion2包含突破性的安全能力，採用了建基於非揮發性快閃技術的最先進設計保護功能，易於保護機密和高價值的設計，防止篡改、複製、過度製造、逆向工程和偽造。

SmartFusion2提供了最先進的設計和資料安全能力，它使用SoC FPGA業界唯一具備實體不可複製功能(physically unclonable function，PUF)的密鑰登記和再生成能力，製造出具有安全密鑰儲存能力的根源可靠性(root-of-trust)設備。SmartFusion2也是唯一使用Cryptographic Research Incorporated (CRI)產品組合技術來防禦差分功率分析(differential power analysis，DPA)攻擊的SoC FPGA元件。用戶還可以利用多個內置的加密處理加速器，包括：先進加密標準(advanced encryption standard，AES) AES-256、安全散列演算法(secure hash algorithm，SHA) SHA-256、384位元橢圓曲線密碼(elliptical curve cryptographic，ECC)引擎，以及不確定性隨機位元生成器(non-deterministic random bit generator，NRBG)。

這些特性組合加上建基於快閃的架構，使得SmartFusion2成為市場上的最安全的FPGA元件。

SmartFusion2:高可靠性
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美高森美的可程式邏輯解決方案廣泛用於國防和航空應用，因為它們具備高可靠性和抗單一事件擾亂 (Single Event Upset, SEU) 的能力。SEU可以引起二進位代碼狀態改變並且損壞資料，導致硬體故障。SEU防禦需求也開始擴展到工業和醫療應用領域。

" e' ]8 [9 u) B: z$ E/ ?SmartFusion2元件設計用於滿足各個產業標準的要求，包括IEC 61508、DO254和DO178B，並且具有達到零故障率(failures in time, FIT)的抗SEU能力。SmartFusion2快閃FPGA架構無需外部配置，因為在電源關閉時，這款SoC FPGA能夠保留其配置，提供額外安全防護水準，並實現「即時啟動」(instant-on)性能。

SmartFusion2是唯一能夠保護其所有的SoC嵌入式SRAM記憶體避免SEU錯誤的SoC FPGA元件。這是經由在Cortex-M3嵌入式暫時記憶體(scratch pad memory) 等嵌入式記憶體、乙太網路、控制器局域網(CAN)和USB緩衝器上，使用單位元錯誤糾正和雙位元錯誤偵測 (single error correction, double error detection，SECDED)保護功能來完成的，並且提供可用於DDR記憶體控制器的選項。

這些產品特性，以及建基於快閃技術的元件架構，使得SmartFusion2成為用於需要防止破壞性SEU事件發生的航空環境等嚴苛應用的理想解決方案。

innoing123

Microsemi推出新一代SmartFusion®2 SoC FPGA 為安全性、可靠性和低功耗性能帶來突破
業界唯一針對工業、國防、航空、通訊和醫療應用的快閃FPGA元件
& z# E3 U9 E  Z
功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 發佈新的SmartFusion®2系統單晶片(system-on-chip，SoC) 可程式閘陣列(field programmable gate array，FPGA)系列。Microsemi新一代SmartFusion2 SoC FPGA專為滿足關鍵的工業、國防、航空、通訊和醫療應用對先進的安全性、高可靠性和低功耗之基本需求。SmartFusion2在單一晶片上整合具固有可靠性的快閃FPGA架構、一個166MHz ARM® Cortex™-M3處理器、先進安全處理加速器、DSP模組、SRAM、eNVM和業界所需的高性能通訊介面。
) `5 h) o1 P) J
: p4 F4 z" o# q7 I+ O- P: m美高森美公司總裁兼執行長James J. Peterson表示：「幾年前，我們經由強化產品組合、集中研發力量，以及重點擴展適用於高價值、高門檻市場的關鍵產品和技術，實施了推動高價值市場成長的策略。新的SmartFusion2產品系列是美高森美正在開發的業界領先產品之一，這些產品拓展我們的整體系統解決方案產品陣容，並且進一步鞏固公司在安全性十分重要、可靠性不容妥協，以及低功耗必不可少的各個應用領域的領導地位。」

美高森美公司副總裁兼總經理Esam Elashmawi表示：「我們新推出的SmartFusion2 SoC FPGA專為工業、國防、航空、通訊和醫療產業的具挑戰性安全關鍵性應用而設計，這些應用十分需要元件能夠可靠而且無瑕疵地運行。我們的SmartFusion2元件具備所需的差異化特性，能夠確保在非常低的功耗下安全、可靠地運行。這些新一代元件還具有較高的密度和產業標準介面，使得我們能夠滿足更廣大的主流應用需求。」

美高森美已經接洽計畫在廣泛應用中使用SmartFusion2元件的領先客戶，應用包括飛行資料記錄器、武器系統、除顫器、手持式無線電設備、通訊系統管理應用和工業馬達控制。

innoing123

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 宣佈其新一代1200V非貫穿型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新產品：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產品系列的所有元件均採用美高森美的先進Power MOS 8™ 技術，整體開關和導通損耗比競爭解決方案顯著降低20%或以上。這些IGBT元件專為如焊接機、太陽能逆變器和不斷電與開關電源等高功率的高性能開關模式產品而設計。

7 D9 Z0 N6 y) m6 l' o3 m  O0 s美高森美的1200V解決方案可與其FRED或碳化矽蕭特基(Schottky)二極體組合封裝，為工程師提供高整合度解決方案，以便簡化產品開發工作。其它特性包括：

•        閘極電荷(Qg) 比競爭產品顯著減少，提供更快的開關性能；
: |) k  X, \% E: E2 ]- u+ w•        硬體開關運作頻率高於80 KHz，達到更高效率的功率轉換；
•        易於並聯 (Vcesat之正溫度系數)，可提升高功率應用的可靠性；以及
" O+ K0 K( s6 `& l; D/ R$ ^2 {9 X4 K•        額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，為需要短路能力的應用提供可靠運作

" i9 i* R) R# {( R" t/ S, M6 [- ^此外，美高森美將於短期內提供採用SOT-227封裝的APT85GR120JD60元件，包含了一個採用美高森美的專有採用美高森美的專有「DQ」系列低開關損耗、額定雪崩能量二極體技術製造的60A反向平行 (anti-parallel) 超快速恢復二極體。

6 D1 h- V! s6 g; @封裝和供貨
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0 {' a5 y+ i2 u* R* D3 y- T, x美高森美公司的APT85GR120B2電晶體採用TO-247 MAX封裝，APT85GR120L採用TO-264封裝，APT85GR120J則採用SOT-227封裝。美高森美新型NPT IGBT元件已完全滿足性能要求及在產，客戶可經由當地分銷商或美高森美銷售代表取得樣品。

ranica

關於1011GN-700ELM RF電晶體
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1011GN-700ELM電晶體具有無與倫比的性能，包括700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 洩極效率，以降低整體洩極電流和熱耗散，其它的主要產品特性包括：

•        短脈衝和長脈衝間歇模式:           ELM =  2.4 ms, 64%和6.4% LTD
/ j2 d- ~* @% g+ a•        出色的輸出功率:                        700W
•        高功率增益:                                 >21 dB最小值
$ [. i8 t) k2 P: ]9 ^: }•        經控制的動態範圍:                         增量1.0dB，總計15 dB
•        洩極偏壓  -  Vdd:                        +65V
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5 ?, E4 C1 ?, w5 H6 w  z( M4 ^; w使用GaN on SiC高電子遷移率電晶體(HEMT)所實現的系統優勢包括：

/ ~" n# m6 Z3 s3 g2 ~* z•        採用簡化阻抗匹配的單端設計，替代需要合成更多電壓準位的較低功率元件
•        較高峰值功率和功率增益，用於減少系統功率級和最終功率級合成
•        單級配對提供具有餘裕的1.3kW功率，四路結合提供4 kW整體系統功率
0 A3 `9 B& y5 c  u+ F1 G2 A" @•        65V高工作電壓，減小電源尺寸和直流電流需求
6 p1 W! {: m/ e7 }3 ~( C7 S•        極高穩健性，提高系統良率
•        放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%

# w9 V* V0 ^8 f* s1 @封裝和供貨

+ q; M6 ~* _# e$ P" R9 o9 `4 I: p* z1011GN-700ELM以單端封裝形式供貨，採用100%高溫金(Au)金屬化和焊錫密封引線，提供長期軍用可靠性。美高森美可借出演示單元供客戶使用數星期，但鑒於產品成本的緣故，不會提供免費的樣品。

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Microsemi發佈用於二級監視雷達航空應用的RF電晶體繼續擴展GaN on SiC產品組合

功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC)宣佈推出第一款用於高功率航空交通管制(air traffic control, ATC)、二級監視無線電 (secondary surveillance radio, SSR)應用的射頻(RF)電晶體的產品1011GN-700ELM。SSR用於發送資訊至裝備有雷達應答器的飛機，並且同時收集資訊，容許航空交通控制員識別、跟蹤和測量特定飛機的位置。美高森美新型1011GN-700ELM元件的峰值為700W，工作頻率為1030MHz，並且支援短脈衝和長脈衝的特長訊息 (extended length message, ELM) 。新型電晶體建基於GaN on SiC 技術，這項技術特別適合高功率電子應用。
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美高森美公司RF整合系統產品部門副總裁David Hall表示：「我們積極推動開發下一代GaN on SiC功率元件，把握更高性能航太和軍事應用不斷增長的機會。新產品的發佈，讓我們現在可提供250、500和700W的高可靠性GaN on SiC電晶體，用於二級監控雷達搜索和跟蹤應用。我們還在研發多個其它GaN on SiC電晶體產品，將於今年稍後時間推出。」
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, K) y8 S% p% x; T9 |# u0 |6 }美高森美即將推出的產品包括多個用於L，S和C波段雷達系統的高脈衝功率GaN on SiC電晶體，並且提供一整套GaN微波功率元件，包括S波段雷達型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN-110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在開發的數款新產品包括用於涵蓋960-1215 MHz的L波段航空電子產品；涵蓋1200-1400MHz的L波段雷達，以及涵蓋2.7-2.9 GHzS波段雷達的較高功率元件。

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Microsemi新型封裝技術有助達成小型化可植入醫療器材
先進的晶片封裝技術將無線電模組占位面積減少75%
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致力於提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣佈，其新晶片封裝技術已經通過特別針對主動可植入醫療器材的內部驗證制度，包含符合MIL-STD-883測試標準的熱和機械應力。該晶片封裝技術針對可植入醫療器材，如心臟起搏器和心臟除顫器；還可用於佩戴式醫療設備，如助聽器和智慧配線，以及神經刺激器和藥物遞送產品。

3 ]  m' g( P( U美高森美突破性封裝技術，可將公司現有的可植入無線電模組的占位面積減少75%。小型化器材容許醫生使用微創手術，提升患者的舒適度，並且加快復原時間，同時可降低醫療保健成本。更小巧、更輕盈的無線醫療器材也為患者帶來了更大的行動性。

7 F/ C: W' H+ w5 b, V. T" I; ~美高森美公司先進封裝業務和技術開發經理Martin McHugh表示：「這種內部晶片封裝技術的驗證符合我們客戶要求的參數，提供了推動小型無線醫療產品開發的解決方案。這些先進的封裝技術還可以與我們業界領先的超低功率ZL70102無線電相輔相成，提供無線醫療保健監護。展望未來，我們計畫將小型化技術和無線電技術應用到智慧感測等其它市場，以及尺寸和重量為重要成功因素的應用領域。」
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關於ZL70102
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美高森美的超低功率ZL70102收發器晶片支援資料速率十分高的RF連接，適用於可植入醫療通訊應用。該晶片的獨特設計，能夠實現快速傳輸患者健康狀況和器材性能的資料，而且僅對植入式器材的有效電池壽命產生微小的影響。ZL70102專為植入式醫療器材和基地台而設計，且可於402–405 MHz MICS頻段運行。產品支援包括使用2.45 GHz ISM頻段喚醒接收選項等多個低功率喚醒選擇，以用於超低功率運行接收器。

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Microsemi提供可用於極端溫度環境的FPGA和cSoC產品 可程式元件可在攝氏150至200度下運行
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功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC)宣佈，其可程式閘陣列(field programmable gate array，FPGA) 和SmartFusion®可客製化系統單晶片(customizable system-on-chip，SoC) 解決方案現已具備在攝氏150至200度下運行的極端工作溫度範圍特點。這些元件已經部署在井下鑽探(down-hole drilling)產品、航太系統、航空電子設備，以及其它要求在極度低溫或高溫環境中提供高性能和最高可靠性的應用中。

美高森美SoC產品部門市場行銷副總裁Paul Ekas表示：「這些元件在極熱和極冷的溫度下能夠十分可靠地運行，這對於石油勘探應用、航空航太和國防設備，以及其它用於嚴苛工作環境的產品來說，是不可或缺的特性。美高森美新推出極端溫度解決方案，顯示公司繼續致力提供始終如一的高品質解決方案，應對嚴格的產業挑戰。」
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下列美高森美產品現已提供極端工作溫度範圍型款：
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產品	技術	特點
SmartFusion® (A2F)	混合訊號(快閃型)	可重新程式
Fusion (AFS)	混合訊號(快閃型)	可重新程式
ProASIC®3 (A3P)	快閃型	可重新程式
IGLOO (AGL)	快閃型	可重新程式
ProASICPLUS (APA)	快閃型	可重新程式
SX-A	反熔絲型	一次性程式 9 e+ F9 I) X' V3 o: o4 g7 b9 B
MX	反熔絲型	一次性程式
ACT1, 2, 3	反熔絲型	一次性程式

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美高森美新的離散元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些元件可以獨立形式提供，或者與任何一款美高森美的FRED或碳化矽蕭特基(Schottky) 二極體組合封裝提供，以便簡化產品開發和製造。其它特性包括：
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$ Z0 u" O" ^) G9 u) B# A8 B•        閘極電荷(Qg) 比競爭產品顯著減少，提供更快的開關性能；
6 y  m* Q7 ?1 D- n6 }; h; b6 [  U•        硬體開關運作頻率高於80 KHz，達到更高效率的功率轉換；
$ L$ X0 ^8 G8 v' p2 ?. I•        易於並聯 (Vcesat之正溫度系數)，可提升高功率應用的可靠性；以及
8 l8 c+ T# @+ r' |( s8 ?•        額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time，SCWT)，為需要短路能力的應用提供可靠運作
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APT40GR120B電晶體採用TO-247封裝，APT40GR120S採用表面安裝D3 PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX® 封裝元件，包含了一個採用美高森美的專有「DQ」系列低開關損耗、額定雪崩能量二極體技術製造的30A反向平行、超快速恢復二極體。

( y3 c; G. Y5 z7 W4 i) |美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產品具有以上全部特點，同時已經量產。