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美高森美為NPT IGBT產品系列增添多款新器件( i2 P5 F) Q1 y, \2 G
針對大功率、高性能的工業應用而設計的全新25A、50A和 70A IGBT器件$ Q! O/ U2 C; i1 L
4 |5 ]7 I, q( p: Y功率、安全性、可靠度和效能差異化半導體解決方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,那斯達克代號:MSCC)宣佈在其新一代1200V非擊穿型(non-punch through, NPT) IGBT系列中新增十多款全新器件,其中包括額定電流為25A、50A和70A的器件。0 `' a$ S' e+ Z2 n+ A7 F `
! |0 @/ T+ K2 x6 D! O美高森美的NPT IGBT產品系列是針對各式各樣需要大功率和高性能的工業應用而設計的,最新的器件非常適合電焊機、太陽能逆變器,以及不斷電供應系統和開關電源。1200V產品系列中的所有器件均以美高森美先進的Power MOS 8™技術為基礎,相較於其他的競爭解決方案,總體開關和導通損耗顯著地降低至少20%。
" B5 [2 f2 W, N3 U) }. D S
$ }5 o2 x' F0 V) B8 ^1 E/ b5 K美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產品系列中的所有器件一樣,可與美高森美的FRED或碳化矽肖特基二極體封裝在一起,以便為工程師提供高整合度的解決方案,從而簡化產品的開發工作。其它特性包括:
2 v/ I- N5 g9 A9 A. n+ d
$ I8 p- [6 G( d0 q& P• 與同類器件相比,柵極電荷顯著減少,具有更快的開關性能;
5 y5 ` K. J9 q& F# p- K• 硬開關運作頻率超過80KHz,可實現高效的功率轉換;6 \, {9 b/ H& q. W
• 易於並聯(Vcesat的正溫度係數),提升大功率應用的可靠性
" r: S* p. }. u$ S- H• 額定短路承受時間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT),在需要短路能力的應用中實現可靠的運作5 j/ n: h, z( `
5 W$ r" B5 B. d8 e6 p( L3 a/ R. a
除了器件優勢之外,美高森美還為NPT IGBT器件提供貼片-D3封裝,可讓設計人員實現更高的功率密度和更低的製造成本。
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封裝和供貨, N+ s1 V5 c8 D/ c3 r$ I
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美高森美的1200V NPT IGBT產品系列現在包括20多款器件,額定電流有25A、40A、50A、70A和85A。IGBT產品採用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。 |
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