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Chip123 科技應用創新平台»論壇 › Chip1 -- 基礎元件 › ESD/EMI/EMC討論區 › 二极管与MOS管做ESD保护的区别

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[問題求助] 二极管与MOS管做ESD保护的区别

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1^#

發表於 2010-10-31 10:46:48 | 只看該作者回帖獎勵

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在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
我考虑到的有：
1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
结论对不？
多谢

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2^#

樓主| 發表於 2010-10-31 18:23:37 | 只看該作者

芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下

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3^#

樓主| 發表於 2010-11-1 19:48:17 | 只看該作者

还请大大帮忙解决下这个问题：）

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4^#

樓主| 發表於 2010-11-9 20:11:19 | 只看該作者

1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配

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5^#

樓主| 發表於 2010-11-19 19:37:23 | 只看該作者

1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑

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6^#

發表於 2010-12-15 16:29:14 | 只看該作者

怎么只剩楼主一个人自言自语了？

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7^#

樓主| 發表於 2011-9-2 21:57:33 | 只看該作者

二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。

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8^#

發表於 2021-8-25 09:58:47 | 只看該作者

感謝大大的分享，受益無窮

謝謝

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