二极管与MOS管做ESD保护的区别

andyjackcao

在做ESD时，GGNMOS与二极管的差异有哪些.
6 y2 t- ]5 n! P: r  k我考虑到的有：
( i  ^% }3 R: Z! m1），GGNMOS的放电路径要比二极管多；
# q/ d7 Q% ~) Z: I" U2），在相同的面积下，计算得到MOS的寄生电容与二极管在一个数量级。
- \; T2 B; v3 Z- B3），GGNMOS工作在截至区，不会产生沟道噪声，也不会引入其他噪声；
( F2 h/ [: s0 m3 V* [5 Z5 z: ]& c所以，采用相同面积的GGNMOS可以替代同样面积的二极管。
" f$ _" E0 g7 d+ j3 O5 M6 ~结论对不？
; K5 u  u; U  c多谢

andyjackcao

芯片是一款ADC芯片，可工作在80M的采样频率下

andyjackcao

还请大大帮忙解决下这个问题：）

andyjackcao

1),二极管没有SiO2,在CDM模式下，不容易失效
1 r) X# D/ J# L2 n" t: @2),由于二极管参数可以做到很对称，在RF ESD，可经常使用，从而让PAD的阻抗匹配

andyjackcao

1),二极管经常在Rail-ESD结构中使用，从而减少PAD的寄生电容
2),MOS经常在 PAD-ESD结构中使用，可不考虑PAD的寄生电容
所以，要实现二极管对芯片的保护，还要结合整体结构来考虑

franklu1227

怎么只剩楼主一个人自言自语了？

andyjackcao

二极管可避免snapback，也就避免了不均匀放电；
如果电源到地的通路足够强，二极管的ESD可做的比较好。

szona44250

感謝大大的分享，受益無窮

謝謝