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GLOBALFOUNDRIES 推出先進 55nm CMOS 邏輯製程,採用ARM下一代記憶體和邏輯IP,適合低電壓應用( P( P/ }% R, D
55nm LPe 1V 專為超低耗電、低成本和高設計彈性所設計
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【2013年2月20日,台北訊】GLOBALFOUNDRIES 今日宣佈將公司的 55 奈米 (nm) 低功率強化 (LPe) 製程技術平台持續向上提升,推出具備 ARM 合格的新一代記憶體和邏輯 IP 解決方案的 55nm LPe 1V。55nm LPe 1V 是業界首創唯一支援 ARM 1.0/1.2V 實體 IP 資料庫的先進製程節點,可讓晶片設計人員使用單一製程,在單一系統單晶片(SoC) 下支援兩種操作電壓。 1 b$ J4 A8 ^( h3 A8 g/ H ]# P
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GLOBALFOUNDRIES 產品行銷部副總裁 Bruce Kleinman 表示:「這款 55nm LPe 1V 產品最主要的優點是,無論是要設計 1.0V 或 1.2V 的電源選項,都能使用相同的設計資料庫。也就是說,只需要採用同一套的設計規則和模式,無需額外的光罩層或特殊製程。如此不只可降低成本,提高設計彈性,更能維持一致的電源和最佳化功能。」
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6 X: L, J+ ]4 u: h' \2 `5 |) iGLOBALFOUNDRIES 的 55nm LPe 1V 採用 ARM 的 1.0V/1.2V 標準晶胞和記憶體編譯器,方便設計人員將速度、電源及/或面積等設計最佳化,尤其對在系統單晶片解決方案的設計上受到電力限制的設計人員來說更為有利。 |
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