電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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新的LGA封裝MOSFET幫助將空間受限的智慧型手機及平板電腦應用的能效及電池使用時間提升至極致
單節及雙節鋰離子電池充電/放電保護電路因高性能覆晶晶片MOSFET而受益

2013年6月5日 – 推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出兩款新的MOSFET元件，用於智慧型手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。

這兩款元件符合RoHS指令，適用於單節及雙節鋰離子電池應用，提供領先業界的導通阻抗(RDS(on))性能水準，使用平面閘格陣列(LGA)結構，以提供小型的低高度設計，使其適合用於通常空間受限的智慧型手機及平板電腦應用。EFC6601R的額定最大源極至源極電壓(VSSS)為24伏(V)，EFC6602R的額定最大VSSS為12  V。兩款元件都採用2.5  V供電電壓工作，採用共漏極結構，包含內置保護二極管。

安森美半導體的三洋半導體產品部MOS產品總經理秋庭隆史說：「自從鋰離子電池面市以來，安森美半導體一直在開發及提供充電/放電保護電路開關MOSFET。我們積累的專業知識和技術使我們能夠開發出這些微型元件，更進一步延長電池使用時間及提升能效。」

安森美半導體計劃在年內再增添5款EFC系列MOSFET元件，説明從事更寬廣範圍的行動設備設計人員實現減小方案尺寸及延長電池使用時間的應用目標。

封裝及價格
EFC6601R及EFC6602R採用無鹵素EFCP封裝，每5,000片批量的單價分別為0.80和1.00美元。

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快捷半導體全新 MOTION SPM® 5 系列產品為小家電提供溫度感測與穩定的 EMI
模組已針對嚴苛應用環境中的效率及最大可靠度進行最佳化


馬達控制系統設計人員需要能在嚴苛應用環境提供最佳化效率、確保最大可靠度的解決方案。為了應對這一挑戰，快捷半導體公司（紐交所代碼： FCS) 已開發 SPM® 5 智慧型功率模組系列，提供 3 相 MOSFET 變頻器(Inverter)解決方案，可為設計人員提供 AC 感應馬達 (ACIM : AC Induction Motor) 與無刷直流 (BLDC) 馬達變頻器解決方案，適用於最高 200W 的馬達，包括風扇馬達、洗碗機及各種小型工業馬達。

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全新的 SPM 5 系列包含六個快速回復 MOSFET，以及三個用於閘極驅動的半橋 HVIC。上述裝置提供低電磁干擾 (EMI) 特性及最佳化的切換速度。

低 RDS(ON) MOSFET 的精密驅動可大幅降低 EMI，提供最大的切換效率。內建的電壓過低鎖定(UVLO)與溫度感測單元(TSU: Thermal Sensing Unit)可為 SPM 裝置提供本機保護，連接的控制器 IC 也可即時監控模組的散熱效能。

Motion SPM 5 SuperFET® 系列中的 FSB50x60SF(S) 裝置採用 600V 超接面 MOSFET 技術，FSB50xxxA(x) 則採用 250V/500V FRFET® 技術。SPM 5 SuperFET 系列是業界第一款適用於小型家用裝置和小型工業驅動裝置的 600V 超接面 MOSFET 模組解決方案。上述技術提供優於 IGBT 型功率模組或單晶片解決方案的耐用性與更大的安全運作區域 (SOA : Safe Operation Area)。

此新款 SPM 系列在迷你的 29mm x 12mm 封裝中包含三個靴帶式二極體 (bootstrap diode)，額定運作電壓分別為 250V、500V 及 600V。小尺寸的設計及簡單的電子介面，使其非常適合需要小尺寸、快速上市及設計擴充性的應用，例如內建馬達應用，以及組裝空間受限的其他應用。此系列的裝置可為設計師提供當今應用所需的能源效率、小尺寸及低 EMI。