電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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IR 全新300V功率MOSFET配備基準導通電阻 有助於提升工業應用之系統效率


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出配備了IR最新功率MOSFET的300V元件陣營，藉以為各種高效率工業應用提供基準導通電阻 (RDS(on))，包括110-120交流電壓線性調節器和110-120交流電壓電源，以及太陽能逆變器與不斷電供應系統 (UPS) 等直流-交流逆變器。

全新功率MOSFET陣營具備極低的RDS(on)，有助於提升系統效率。若多個MOSFET並聯使用，設計師更可減少產品的元件數量。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 300V MOSFET陣營配備了基準Rds(on)，能夠提升效率、功率密度及可靠性，適用於要求更佳系統效率之工業應用。」

全新元件符合第一級濕度敏感度 (MSL1) 業界標準及電子產品有害物質限制指令 (RoHS)。

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瑞薩電子宣佈推出低導通電阻功率MOSFET以提供更高電源效率及小型伺服器電源供應器
相較於瑞薩早期ORing應用產品，新款MOSFET提供低50%的導通電阻

2013年2月5日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出新款低導通電阻 [註1] MOSFET [註2] 產品，包括經過最佳化的μPA2766T1A，做為網路伺服器與儲存系統之電源供應器內的ORing [註3] FET使用。

此款新產品具有業界最低的0.72 mΩ (典型值、30 V)導通電阻，比瑞薩早期產品低約50%，並具備高效率與小尺寸安裝面積封裝(8-pin HVSON)，能以較小的封裝提供高電流控制，有助於節省電力及電源組件的小型化，用於大型伺服器儲存系統。

以關鍵任務系統而言，通常會提供備援供電，亦即使用ORing FET搭配多個電源裝置，以維持伺服器儲存系統的高可靠性。這些ORing FET連接至各電源供應器的電源輸出線路。ORing FET在正常運作時會維持導通，但若其中一個電源供應器故障時，該電源供應器的ORing FET將切換為關閉狀態，以便將故障的電源供應器與其他電源供應器加以隔離，確保故障的電源供應器不會干擾系統電力。

正常運作時，電源輸出線路需處理數十至數百安培的大電流。ORing FET必須具備低導通電阻特性以避免導通損耗的增加或電源電壓的下降。

為因應上述需求，瑞薩以該公司的全新低導通電阻製程為基礎，目前已開發三款MOSFET產品。新款μPA2764T1A、μPA2765T1A及μPA2766T1A符合上述需求，可為電源供應裝置提供領先業界的低導通電阻以及更小的外型。

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新款低導通電阻功率MOSFET產品的主要特色

(1) 業界最低導通電阻
新款μPA2766T1A提供業界最低的0.72 mΩ (典型值、30 V應用)導通電阻及5 mm x 6 mm小尺寸封裝，其導通電阻僅約為瑞薩原有產品的二分之一。如此可藉由降低網路伺服器及儲存系統所使用之電源供應器內的ORing FET的傳導損耗，提升系統整體的電源效率，這些系統也正是達成智慧型社會的關鍵應用。另外，還能藉由大電流來抑制電壓大幅降低的情形。即使是電流波動幅度較大的電源供應器，也有可能達到高精度的電源電壓。

(2) 8-pin HVSON封裝及小尺寸安裝面積，支援大電流控制
8-pin HVSON封裝提供低封裝電阻，因為它採用金屬板連結封裝內的FET晶片與針腳。如此再結合FET晶片的低導通電阻，儘管封裝尺寸僅有5 mm × 6 mm，最高亦能控制額定電流130 A (ID (DC))的大電流。多個ORing FET並聯連結至各電源供應器以提供大電流時，亦可利用最少的並聯數量以協助縮小設備尺寸。
三款新的MOSFET包括μPA2766T1A，其導通電阻額定範圍為0.72 mΩ至1.05 mΩ (標準值)，可提供更理想的產品選擇，以符合使用者在操作電流或環境情況方面的需求。亦可讓客戶供應最佳產品，有助於提升電源效率並降低空間需求。
瑞薩電子計劃持續強化此產品系列，繼續致力於降低導通電阻並創造更小的封裝以符合持續進化的客戶需求。

[註1] 導通電阻是功率MOSFET運作時的電阻。較低的數值表示損耗較少(導通損耗)。
[註2] MOSFET是「metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (金屬氧化物半導體場效電晶體)」的縮寫。MOSFET依據結構區分為P通道或N通道。此新產品為N通道MOSFET。
[註3] ORing是指一種組態，其中以多個電源供應器提供負載，自動執行電源電壓切換，或者由電源供應器分擔負載。這是透過功率MOSFET及控制電路實作。

關於低導通電阻功率MOSFET產品之主要規格，請參閱附件。

供貨時程
新的低導通電阻功率MOSFET已開始供應樣品，樣品價格因規格而異。 瑞薩電子將於2013年2月開始量產，預估至2013年10月，三款產品的合併產能可達到每月500萬顆。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

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【2013 年 5 月 16 日台北訊】英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 宣佈出全新的 TO 無鉛封裝產品，能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸，還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOSTM MOSFET，適用於具有高功率和穩定性需求的應，像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等。

全新 TO 無鉛封裝的設計可耐受達 300A 的高電流。封裝電阻較低，因此在所有電壓等級下都能達到最低的 RDS(on)。封裝尺寸比 D2PAK 7pin 60%，能將設計體積減到最小。TO 無封裝的體積大幅減少 30%，讓堆高機等應用所需要的電路板空間更小。高度減少 50%，在機架或刀鋒伺服器等一些需要小巧體積的應用中尤其具備優勢。此外，封裝的寄生電感較低，因此 EMI 特性更佳。

英飛凌低電壓功率轉換深協理 Richard Kuncic 表示：「隨著 TO 無鉛封裝的推出，英飛凌將成為第一家推出 0.75mΩ 60V MOSFET 的半導體公司。產品可以減少堆高機應用中所需並聯 MOSFET 的數量，同時提高功率密度。此種封裝能為我們的客戶帶來重大優勢，滿足高功率應用的需求，提供最高等級的效率和可靠性。」

再加上，TO 無鉛封裝的焊接接觸面積增加 50%，因此電流密度得以降低。如此避免在高電流量和高溫下發生電遷移，進提升可靠性。與其他無鉛封裝不同的是，TO 無鉛封裝採用銲錫的溝槽引腳，因此能用肉眼檢查。

此種全新封裝是功率應用的最佳選擇，能滿足應用對高效、優異可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散特性等的需求。

上市時間
TO 無鉛封裝目前已開始提供 30V（最高 0.4 m?）、60V（最高 0.75 m?）、100V（最高 2.0 m?）和 150V（高 5.9 m?）等規格的樣品，預計自 2013 年第三季開量產。

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(20140428 18:01:33)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)半導體和儲存產品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電耦合器。新產品TLP3905和TLP3906即日起投入量產。

光電耦合器採用不含MOSFET晶片的光控繼電器結構。用戶可透過將光電耦合器與外部選用MOSFET相結合，從而建立一個隔離繼電器。這樣可獲得更大的電壓和電流，超越現有光控繼電器產品的性能。

新產品TLP3905和TLP3906能保持東芝現有產品TLP190B和TLP191B的基本性能，同時能夠透過將工作溫度增加至125°C（最大值）以及將絕緣電壓升至3750Vrms（最小值），以擴大應用領域。此外，TLP3906整合了一個控制電路，可釋放MOSFET閘極電荷，從而加快斷開速度；這一速度約為TLP3905的三倍。另外，TLP3906可保證LED觸發電流，以確保VOC（最小值）*，從而更易於降低LED電流的功耗。新產品適用於測試應用中的線路開關或PLC應用中的高電流控制。

*VOC：開路電壓

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IR為工業應用推出大罐型DirectFET MOSFET系列 備有極低導通電阻

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大型罐DirectFET MOSFET系列，適用於要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的高功率直流馬達、直流/交流逆變器等工業應用，以及動態ORing熱插拔和電子保險絲等高電流開關應用。

全新7mm x 9mm x 0.7mm大型罐封裝元件提供卓越的導通電阻效能，從而實現較低的導通損耗及更理想的系統效率。這款大型罐產品與中、小罐型DirectFET元件相似，備有雙面散熱功能，可提供最佳傳熱效能和功率密度。DirectFET還提供最佳的裸片對佔位面積比，有效縮減電路板尺寸。加上0.7mm的超薄厚度，新元件為受空間限制的高功率工業電源設計提供理想的解決方案。

與DirectFET系列的其他元件一樣，全新工業用大型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單，可迎合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「DirectFET系列新增大型罐封裝元件後，繼續領導業界作為市場上最可靠、最高效的MOSFET封裝產品之一。全新大型罐DirectFET系列的佔位面積比D2PAK等傳統的大型塑膠表面黏著功率封裝顯著減小，而且增加了上方散熱效能，因而非常適合受空間限制的長壽工業電源設計。」

全新40V到150V大型罐封裝元件符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1)。

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IR 60V StrongIRFET MOSFET擴充系列備有標準和高效能功率封裝 極低導通電阻適合工業應用


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，並提供多種標準和高效能功率封裝選擇。全新MOSFET備有極低的導通電阻 (RDS(on))，適合電力工具、輕型電動車 (LEV) 逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源 (SMPS) 二次側同步整流等多種工業應用。

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經過擴充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式和表面黏著封裝選擇，其中IRF7580M元件採用超薄精密的中型罐 (ME) DirectFET封裝，可提供高電流密度，還有效縮減整體系統尺寸及降低成本，因而非常適合受空間限制的高功率工業設計。

新的60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款元件，全部配備可提升低頻率應用效能的極低導通電阻、極高的載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。該系列的每款元件都完全通過行業最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產品系列提供多種封裝選擇，並具有針對工業市場的低導通電阻和高電流能力，使設計師能夠基於性價比準則靈活選擇最適合其應用的元件。」

與DirectFET系列的其他元件一樣，全新IRF7580M中型罐封裝元件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單，因而適合生命週期長的設計。同類型的高效能封裝包含了含鉛上片，雖然獲豁免不受電子產品有害物質限制指令第7(a) 項管限，但豁免將於2016年到期。

採用表面黏著封裝的60V StrongIRFET

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(20140915 15:40:10)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)今天宣布針對超低功率微控制器(MCU)開發採用新工作原理的穿隧場效應電晶體(TFET)。該工作原理已經被應用到使用CMOS平台相容製程的兩種不同的TFET開發中。透過將每種TFET應用到一些電路塊中，可實現大幅降低MCU的功耗。

9月9日和10日，東芝在日本筑波舉辦的2014年固態元件與材料(SSDM)國際會議上的三場展覽中展示了其TFET。其中的兩次展覽是建立在與日本產業技術綜合研究所(AIST)合作研究團隊綠色奈米電子中心(GNC)的共同研究基礎上。

無線設備和行動裝置的需求快速成長，正帶動著大型積體電路(LSI)超低功耗的需求成長。在這種形勢下，我們急切需要創新設備，以降低工作電壓，減少待機洩漏電流。使用量子穿隧效應新工作原理的隧道場效應電晶體已經吸引了大量關注，能夠取代傳統的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)實現LSI的超低功耗運作。

由於III-V化合物半導體等新材料具有實現高性能的潛力，因此近來就是否可引進這些新材料應用於TFET進行了廣泛調查。然而，由於特殊製程利用導致的困難，將這些材料應用到目前的CMOS平台較為困難。

東芝已透過為採用通用CMOS製程的一些主要電路塊最佳化TFET特性，解決了這一問題。該方法使TFET輕鬆安裝至現有生產線中成為可能。東芝開發了兩種型號的矽基TFET，一種用於具有超低洩漏電流和最佳化導通電流的邏輯電路，另一種用於具有極低電晶體特性偏差的SRAM電路。兩種型號均使用垂直型穿隧操作，以增強穿隧屬性。此外，邏輯TFET使用精確控制的磊晶材料生長製程確保使用碳和摻磷矽(phosphorus doped Si)的隧道結形成過程。這裡提及的矽/矽鍺(SiGe)結也已被全面評估，以確保最佳化配置。因此，該設備的導通電流相較於矽TFET高兩個數量級，而且N型和P型TFET的超低關態電流相同。對於SRAM型號的TFET開發，東芝已提出新穎的TFET運作架構，無需形成結構化隧道結。它可消除製程變異性，並顯著抑制電晶體的特性偏差。

東芝將展示這些TFET與傳統的MOSFET在MCU中的整合，以使總功耗降低十分之一或更多，到2017年將目標瞄準商用產品及使用。

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(20141028 17:41:38)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下半導體和儲存產品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)閘極驅動器TPD7104F。新產品是一個適用於電荷泵的整合式電路，與東芝的傳統產品相比，工作電壓更低[1]，為VDD(opr) = 5至18V。出貨即日起啟動。


新產品主要規格

1.BiCD 0.13μm製程
2. 供電電壓：VDD(opr)=5至18V
3. 內建過流保護功能
4. 內建過流診斷功能
5. 輸出電壓
VOUT=VDD+8V（最低值）@VDD=5V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C
VOUT=VDD+10V（最低值）@VDD=8至18V，IOUT=-100μA，Tj=-40至125°C

6.小型封裝
PS-8 (2.8mm x 2.9mm)

應用
適用於汽車應用，驅動12V蓄電池所使用的高邊N溝道MOSFET，包括用於怠速停止系統和電動助力轉向系統(EPS)的半導體繼電器和半導體負載開關。

注釋：
[1] 與“TPD7102F” (VDD=7至18V)相比

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(20141106 10:34:37)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)旗下的半導體和儲存產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)U-MOS IX-H系列。與東芝傳統的U-MOS VI-H系列相比，新系列減少了76％的導通電阻，實現業界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。

注釋：
[1] 截至2014年11月4日。東芝調查
[2] Qoss：輸出電荷

主要特性
*業界頂級的低導通電阻：0.85mΩ（最大值）
*業界頂級的低RDS(ON)・Qoss：60mΩ・nC

應用
適用於伺服器和電信基地台的高效率開關電源

主要規格

RDS(ON) Ciss Qoss
元件名稱 封裝 VDSS (V) 最大值 (mΩ) 典型值 典型值
VGS=10V時 (pF) (nC)
TPHR8504PL SOP Advance 40 0.85 7370 85.4