電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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快捷半導體的高壓 MOSFET 在 AC-DC 電源應用中提供業界領先的體二極體穩固性能
SuperFET® II MOSFET 提供更高效率及可靠性，同時節省系統成本及電路板空間


高端 AC-DC 開關電源 (SMPS) 應用如伺服器、電信、計算及工業電源應用需要高功率密度；為了取得成功，設計者需要具有成本效益的解決方案，從而佔用更小的電路板空間並提高可靠性。 美國快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號： FCS）透過引入 600V N-通道 SuperFET® II MOSFET 系列，協助設計者應對這些挑戰。

產品分為兩個系列：SuperFET II 及 SuperFET II Easy Drive。這些 MOSFET 在輸出電容 (Eoss) 中儲存較少能量，從而在輕載條件下實現更高效率，並透過同級最佳的體二極體穩固(Robust)性能提高在諧振轉換器中的系統可靠性。

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這些 MOSFET 採用先進的電荷平衡(charge balance)技術，提供極低的導通電阻和更低的閘極電荷 (Qg) 性能，因此品質因數 (FOM, figure of merit)    更低。 這些器件包含多個整合性的特點，有助於在簡化設計中減少元件數量，從而獲得更高效率、更具成本效益的設計，其中包含一個閘極電阻器 (Rg)， 能夠大幅降低閘極振盪並改進系統整體性能。

優勢及特點：

SuperFET II MOSFET
•        更快的開關速度，從而最大化系統效率
•        更大的功率密度
SuperFET II MOSFET Easy-Drive
•        易於設計及使用
•        優化的開關性能
•        低電磁干擾雜訊
•        在異常情況下可靠的運行
封裝種類與售價資訊（訂購 1,000 個，美元）
按請求提供樣品 - 收到訂單後 8-12 週內交貨

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IR堅固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET為電訊電源應用提供基準效能

全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFH7185TRPbF 100V FastIRFET功率MOSFET，為電訊應用內的DC-DC電源提供基準效能。

IRFH7185TRPbF利用IR全新100V FastIRFET製程，提供基準的導通電阻閘極電荷品質因數 (Rds(on)*Qg figure of merit)，以實現更高效率和功率密度，並且提高系統可靠性。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IRFH7185TRPbF提供極低導通電阻，加上閘極電荷比同類型元件顯著較低，所以從輕載到滿載都能達致高效能。新100V FastIRFET元件提高雪崩電流密度達20%，藉以為DC-DC電訊電源提供行業最堅固耐用的解決方案。」

IR FastIRFET元件可配合各種控制器或驅動器操作，從而使設計更靈活，更以小佔位面積實現更高電流、效率和頻率。IRFH7185TRPbF符合工業級標準及第一級濕度敏感度 (MSL1) 標準，並採用了5x6 PQFN行業標準封裝，備有不含鉛且符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 的環保物料清單。

規格

封裝	元件編號	在25°C下最大Id	在10Vgs下    典型/ 最高RDSon (mΩ)	在4.5V下典型QG (nC)	在10Vgs下R*QG
PQFN 5×6	IRFH7185TRPBF	123A	4.2	36	151.2

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東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba) (TOKYO:6502)力爭透過在成長型市場中提供分離式元件實現業務穩定擴張。

業務環境日新月異，智慧型手機、平板電腦、無線基地台和資料中心等市場不斷擴大，汽車正越來越智慧化，風力發電等新能源日益發展（主要在新興市場國家），而且產業對能源效率的重視前所未有。

小信號設備和光電(OPTO)元件

小信號設備和OPTO元件是該業務領域的基礎產品，自去年以來需求強勁。我們的每個生產據點，包括自泰國水災之後搬遷廠址的東芝半導體（泰國）公司(TST)，目前均開足馬力營運。我們的OPTO元件光電耦合器已連續四年保持全球第一的市占率。我們致力於透過擴大TST規模、擴大高附加值領域的產品陣容（主要是在工業市場），以進一步提高生產力，以及透過回應市場變化和擴張來擴大業務。

功率元件

金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)是我們重點關注的產品，我們將透過發揮性能、品質和供應能力方面的綜合實力來為客戶提供支援，以滿足中國的工業市場及強大的日本汽車廠商的需求。中國市場可望實現進一步擴張。我們已經獲得下一代汽車產品的訂單。我們將繼續提高加賀東芝電子(Kaga Toshiba Electronics) 200mm生產線的產能，並繼續為客戶提供解決方案。

此外，隨著下一代產品利用新材料因應多元市場需求，我們將為高電壓、高頻率領域推出碳化矽(SiC)元件，為超高頻率領域推出氮化鎵(GaN)功率元件，以及為白色LED推出矽基氮化鎵(GaN on Si)製程技術。我們還將與內部系統公司攜手合作。我們將在未來引領市場擴張。

東芝分離式半導體業務(Toshiba Discrete Semiconductor Business)將提前因應未來的需求，以在全球市場中實現業務成長。