電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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2011/5/18-國內類比IC業界唯一以IDM方式經營的友順科技公司，有鑑於高效能的功率半導體使用的發展迅速，除繼續著力於原有各類的IC研發外，自2006年亦積極投入Power MOSFET的研發及生產。

近年來，市場上對電源相關的半導體元件的高效率化，以及減少零件用量的期待也愈來愈高。Power MOSFET在電源供應裝置中是不可或缺的元件，為符合電子產品追求節能和降低系統功率損耗的需求趨勢，各廠商均不斷研發具備更高的能源轉換效率的產品，以滿足系統高效能、輕量化、小型化及高可靠度的要求，Power MOSFET主要發展趨勢也朝向低導通電阻、高速切換、高效能、高功率及低成本考量。

友順科技目前己擁有規格齊全及各類封裝型態的產品系列，在高壓MOSFET方面，從200V～900V/1A~22A及更高功率產品系列，採用UTC自行開發的DMOS製程，主要適用於電源供應器及機電產品巿場，如電腦、家電產品、事務機、工業用設備、汽車和各式照明設備等一系列交直流電源、交換式電源供應器、充電器、電動車、HID灯、節能灯、LED照明、UPS, 逆變器等，封裝別則包括大功率散熱型的TO-247/TO3P/TO-220F/TO-220等插件式封裝及TO-263/TO-252等SMD封裝等。

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在中低壓產品方面，又分Planar及Trench製程，友順科技己擁有種類眾多的低電壓、低電流系列Trench MOSFET產品，適用於主要採用25V和30V的MOSFET的電腦主機板，以及應用做為DC/DC轉換、充電、負載開關和信號開關功能的消費電子巿場，如LCD TV和遊戲機等；至於中壓產品有60V～200V產品系列，則主要採用Planar製程產品，Trench製程產品亦在發展中，可應用在消費性產品等電子電源、通訊電源系統等，封裝則以SOT-23、SOP-8等小型SMD封裝為主；除全系列Power MOSFET之產品外，UTC也發展類比整合型IC，將PWM Control IC與Power MOSFET整合的Power Management IC，提供高低壓及AC，DC電源管理的Total Solution。

秉持快速因應客戶及巿場的需求的理念，友順公司始終跟隨著終端產品的應用趨勢，持續不斷開發及推出適用不同應用領域的MOSFET產品；近日也再宣佈發行多款具成本效益且低RDS(ON)的產品，包括: UT12NN10是一顆採小型SOP-8封裝的N型雙通道，應用於LED TV及顯示器內部限流保護用產品、UFZ44是N-Channel/60V/50A，功率接近50W，採用TO-220封裝，應用於SMPS、及2-15A/900V的高壓MOSFET…等；另外，近期又再推出齊全的400V產品系列，電流從1A到22A，提供照明及電源巿場客戶更多新的選擇，在在都展現UTC在發展全系列MOSFET產品組合的成果及繼續深耕擴展MOSFET產品的決心。

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瑞薩電子推出鋰離子電池充電控制IC支援大電流快速充電
以超小型封裝實現高效能2 A充電 尺寸為2.47 mm × 2.47 mm


2013年1月08日，台北訊－先進半導體解決方案之頂尖供應商瑞薩電子(TSE：6723)宣佈推出R2A20057BM鋰離子(Li-ion)電池充電控制IC，適合採用一個鋰離子電池單元的行動裝置，例如數位相機及智慧型手機。R2A20057BM採用世界最小等級的封裝尺寸，內建降壓DC-DC轉換器並支援2 A大電流充電。

由於數位相機、智慧型手機及其他行動裝置的功能越來越強大，電流用量也逐漸增加，因此需要更大容量的鋰離子電池，以及較大的電流來為這些電池充電。然而，大電流充電系統需採用多個功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)及獨立的被動元件，而處理大電流也需要大尺寸的散熱結構，但同時又需要更小的安裝面積，特別是行動裝置。

為解決這些問題，新款R2A20057BM採用晶圓級封裝，將多個功率MOSFET與充電迴路整合於單一晶片以大幅縮小安裝面積，由於此封裝技術可降低封裝電阻，因此可供應大量的電流。另外，本產品整合了高效率的晶片內建降壓DC-DC轉換器，不僅可實現大電流充電，並可將發熱抑制在最低的程度。

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R2A20057BM電池充電控制IC的主要特色：

(1) 相較於先前的瑞薩解決方案可減少約62%的晶片表面積
瑞薩採用非常精細的高電壓耐受度晶圓製程及晶圓級封裝(WL-BGA、25-pin、0.4 mm間距)，因此可達到世界最小等級的2.47 mm × 2.47 mm極小晶片尺寸。另外，內建2 MHz高頻率降壓DC-DC轉換器，可使用小型多層晶片電感做為外部元件。晶片內建的25 V高輸入耐受電壓可提供內建的過電壓保護電路，無需外部的過電壓保護電路，有助於大幅縮小安裝面積。

(2) 支援USB電池充電規格Revision 1.2
新款R2A20057BM可自動辨識六種USB連接埠類型，包括USB電池充電規格Revision 1.2規定的三種類型，並自動設定輸入電流限值。

(3) 同時支援獨立作業以及I2C控制作業
新款R2A20057BM可做為獨立產品實作充電作業，或可透過內部積體電路(I2C)的命令輸入進行控制。I2C控制命令支援多種要求，包括充電開始/停止控制，並可變更參數值，例如充電控制電壓、充電電流及輸入電流限值。

(4) 內建自動負載電流分配功能
新款R2A20057BM利用內建的負載電流分配功能，為電池充電時控制系統的供電路徑，此分配功能會優先供電至系統，當輸入電流有限，例如電力經由USB介面大量流出，就會調整充電電流。如此在建立充電系統時，即無需增加大型外部元件，例如獨立開關。

(5) 內建保護功能以確保電池充電的安全
內建的保護功能可確保充電的安全，包括提供輸入/輸出過電壓保護、熱保護、充電計時器保護，以及採用熱敏電阻監控電池溫度。4.20 V/4.35 V ±0.5%的高精度充電控制電壓能以指定電壓為鋰離子電池安全地充電。

供貨時程
R2A20057BM電池充電控制IC現已開始供應樣品，並自2013年1月起量產，預估至2013年8月可達到每月50萬顆的產能。(供貨時程如有變更，將不另行通知。)

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東芝推出新款IGBT/MOSFET閘驅動光電耦合器 工作溫度範圍為-40°C至125°C，有助於減少逆變電路的死區時間，提高效率

(20130109 17:32:09)東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布將推出採用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅動中等容量的IGBT或功率MOSFET。新產品TLP250H的最大傳輸延遲時間為500ns，光電耦合器間的傳輸延遲偏差為150ns，這樣的性能可減少逆變電路的死區時間(dead time)，提高效率。新產品使用了壽命超長的新LED，可支援-40°C至125°C的工作溫度。此外，該耦合器可將最低工作電壓降至10V（東芝之前型號的最低工作電壓只可降至15V），進而有助於降低功耗。該耦合器可應用於一系列產品中，包括高溫環境中使用的工業設備，家用太陽能光電發電系統，數位產品以及測量與控制儀器。該產品的樣品現已推出，並計畫於2月份投入量產。

應用
IGBT/功率MOSFET閘驅動器，功率調節器，通用逆變器，IH（感應加熱）設備，等等。

主要特性
1. 工作電壓：VCC=10 - 30V
2. 傳輸延遲時間：tpLH, tpHL=500ns (最大值)
3. 傳輸延遲偏差：±150ns (最大值)
4. 寬廣的保證工作溫度範圍：Topr=-40°C - 125°C
5. 峰值輸出電流：IOP=±2.5A (最大值)
6. 低輸入電流：IFLH=5mA (最大值)
7. 隔離電壓：BVS=5000Vrms (最小值)
8. 共模瞬態抑制：CMR=±40kV/μs

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東芝將為行動裝置的直流-直流轉換器推出高速雙N溝道MOSFET-支援大電流的低電容產品可提升高速開關效率

(20130304 13:55:39)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布，該公司為智慧手機和平板電腦等行動裝置的大電流充電電路高速開關推出一款低電容雙N溝道MOSFET。

隨著智慧手機、手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置不斷增加新功能並對電池的要求日益提高，業界不斷透過提升充電密度及大幅提高充電電流和頻率來縮短充電時間，進而改善使用者體驗。東芝新款低電容產品SSM6N58NU是該公司雙N溝道MOSFET系列中的最新成員，適合用作大電流充電電路的高速開關。

應用
用作智慧手機、手機、平板電腦和筆記型電腦等行動裝置的大電流（高達4A）充電開關。

主要特性
1. 大電流
2. 低導通電阻
3. 低電容
4. 小型封裝

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(20130307 10:55:16)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO:6502)已推出一款100V的低導通電阻、低漏電型功率MOSFET。該產品採用最新的溝道MOS製程打造，成為汽車專用系列中的最新成員。新產品TK55S10N1的導通電阻較低，搭載以最新第八代溝道MOS製程打造的U-MOS VIII-H系列晶片，並採用配備銅連接器的DPAK+封裝。該產品主要適用於汽車應用，尤其是開關穩壓器等需要高速開關的汽車應用。該產品現已推出樣品，並計畫於2013年4月投入量產。

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vago Technologies針對馬達驅動與逆變器應用推出兩款新高度整合智慧型閘極驅動光耦合器       
功能齊全的2.5A與4A閘極驅動光耦合器可以大幅節省系統成本與電路板空間，提升整體電源效率與可靠度

【二○一四年二月十九日】有線、無線與工業應用類比介面零組件領導供應商Avago Technologies (Nasdaq: AVGO) 宣布推出兩款新高度整合智慧型閘極驅動光耦合器，ACPL-336J與ACPL-337J分別擁有2.5A與4A軌對軌輸出，可以直接推動高功率MOSFET或IGBT。新產品具有高電流軌對軌輸出、內建LED驅動電路、主動米勒箝位、高DESAT去飽和遮蔽電流源以及電壓過低鎖定(Under Voltage Lock-Out, UVLO)回授控制電路，為馬達控制與電源逆變器應用提供完整且高成本效益的閘極驅動解決方案。

Avago隔離產品事業部行銷總監Kheng-Jame Lee指出：「為了滿足最新應用的高功率與高效率需求，閘極驅動設計變得越來越複雜，已經採用Avago經市場驗證HCPL-316J的客戶希望能夠擁有更高的關鍵閘極驅動功能方塊晶片整合度。新ACPL-336J與ACPL-337J不僅可以節省閘極驅動設計的外加零組件數量，也為馬達驅動與逆變器應用的精簡閘極驅動光耦合器解決方案立下新的標準。」

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ACPL-336J/ACPL-337J產品特點
•        高電流軌對軌輸出，可以節省輸出緩衝電路並提高電源效率
•        內建LED驅動電路、主動米勒箝位與高DESAT去飽和遮蔽電流源，節省系統成本與電路板空間
•        整合短路保護以及錯誤(FAULT)與電壓過低鎖定(UVLO)回授控制電路，提高驅動系統可靠度並保護IGBT
•        VIORM=1414VPEAK高強化絕緣電壓，提供高電壓應用可靠的防失效安全保護
•        8.3mm爬電距離與電氣間隙，符合嚴格系統級安全規範要求
•        典型50kV/µs高CMR，避免高雜訊環境下的錯誤驅動
•        符合CSA、UL和IEC安全規範，帶來快速系統級安全反應與上市時程

供貨情況
Avago的ACPL-336J與ACPL-337J智慧型閘極驅動光耦合器目前已經可以正式供貨。如需樣品與產量，請洽詢Avago直接銷售管道或全球經銷合作夥伴。

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TI 推出業界首批支援整合型 MOSFET 的大電流 PMBus™ 轉換器
20-A 及 30-A SWIFT™ DC/DC 降壓轉換器支援電壓、電流以及溫度監控


(台北訊，2014年6月27日)   德州儀器 (TI) 宣佈推出業界首批具有 PMBus 介面的 18-V、20-A 及 30-A 同步 DC/DC 降壓轉換器。該 SWIFT TPS544B20 及 TPS544C20 轉換器採用小型 QFN 封裝並支援整合型 MOSFET，可在空間有限的高功率密度應用中驅動 ASIC，充分滿足有線及無線通訊、企業與雲端計算以及資料儲存系統等各種不同市場需求。這些轉換器與 TI 屢獲殊榮的 WEBENCH® 線上設計工具配合使用，可簡化電源轉換，加速電源設計時程。

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上述高整合轉換器支援 0.5% 的參考電壓誤差精準度以及全差動遠端電壓感測，可滿足深次微米處理器的電壓需求。可選 D-CAP™ 或 D-CAP2™ 自我調整導通時間控制模式簡單易用，不僅支援高速負載暫態響應，而且還可減少外部元件數量。可編程設計性和輸出電壓、電流及外部溫度的即時監控，加上透過 PMBus 的故障報告，不僅可簡化電源設計，提高可靠性，還可減少元件數量，降低系統成本。觀看影片，瞭解 PMBus 介面降壓穩壓器的各種優勢。
       
對於不支援輸出電壓、電流及電路板溫度遙測技術的 PMBus 應用，TI 提供 12-A SWIFT TPS53915 降壓轉換器。瞭解有關 TI 完整SWIFT 產品系列的更多詳情。

TPS544B20 與 TPS544C20 的主要特性與優勢
•        整合型功率 MOSFET 支援 20-A 及 30-A 持續輸出電流；
•        晶片上 PMBus 介面和非揮發性記憶體可簡化電源設計，支援電壓、電流以及溫度監控，並可達到電源客製化；
•        可選 D-CAP 或 D-CAP2 自我調整導通時間控制模式並無需輸出電容與迴路補償，可最小化外部元件數量；
•        其他特性包括內部緩啟動、輸入欠電壓保護以及過熱關機等。