電源設計知識小測驗：初級側MOSFET的最大電壓和電流強度同時出現在

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提高同步整流應用的系統效率和功率密度 相較於先前的解決方案，品質因子提升多達 66%

高效AC-DC轉換器等應用的設計人員需要提升系統效率，同時還要將元件數目減到最少，因而構建具備快速開關速度、更高效率和功率密度的現代功率系統便是一非常重要的因素。

為了幫助設計人員因應此一挑戰，全球領先的高性能電源和可攜式產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為PowerTrench® MOSFET系列中的100V和150V 元件增添工業類型的封裝選擇，其中包括TO-220、D2PAK、TO247、I2PAK、TO220 Full Pack和D2PAK-7L。

上述元件屬於中等電壓範圍功率MOSFET產品系列的成員，是優化的功率開關產品，它們結合了低閘極電荷(QG)、低反向恢復電荷(Qrr)和軟反向恢復寄生二極體，可在AC-DC電源中提供同步整流功能的快速轉換。

MOSFET產品系列的一部分，這些元件能夠滿足現今電子產品的電氣和散熱性能要求，在提高能源效率方面扮演著重要的角色。

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這些元件採用具有電荷平衡功能的遮罩閘極結構，使用這項技術，其品質因子(QG x RDS(ON))較先前之解決方案降低達66%，為包含同步整流、微型太陽能逆變器和離線型UPS系統之應用，以及電訊電源分配PDU/BFU單元等產品之設計人員提供高效率的解決方案。

新產品採用低反向恢復電荷和軟反向恢復寄生二極體，可以減少系統中的電壓尖波或振盪，省去緩衝器電路，或替代額定電壓較高的MOSFET元件，有助於提升效率，並且降低設計的材料清單成本。

第一批採用工業類型封裝的元件有FDP083N15A_F102、FDB082N15A和 FDP036N10A N通道PowerTrench MOSFET元件，如同PowerTrench MOSFET系列中的所有元件一樣，這些產品具有快速開關特性和低閘極電荷，同時採用高性能技術以提供極低的RDS(ON)。此外，該系列元件採用符合RoHS標準的無鹵素和無鉛封裝，能夠滿足環保法規的要求。

新增的PowerTrench MOSFET元件擴充了快捷半導體中等電壓範圍MOSFET產品的陣容，是全面廣泛的PowerTrench

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IR為工業應用擴充StrongIRFET系列 新推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻


全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET MOSFET系列，為多種工業應用包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流馬達驅動器、鋰離子電池組保護、熱插拔及開關模式電源二次側同步整流推出75V元件。

全新75V StrongIRFET功率MOSFET系列搭載可提升低頻率應用效能的極低導通電阻 (RDS(on))、極高載電流能力、軟本體二極體，以及有助於提高噪聲免疫能力的3V典型臨限電壓。產品系列包括採用堅固7引腳D2-Pak封裝的IRFS7730-7P，提供最高僅2 mΩ的導通電阻和240A峰值電流。該系列的每款元件都完全通過業界最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案，並另提供穿孔式封裝選擇。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR 75V StrongIRFET元件系列搭載極低的導通電阻，而且完全通過嚴格的產業級雪崩測試，提供基準效能MOSFET選擇且優化工業市場，確保產品堅固耐用。」