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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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|- h+ Z6 D+ g+ k東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。4 X% u7 ~3 ]- a# C8 ^( Q
" v# f, V/ B" _# v7 j* B& C7 F展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。: p) f9 g& }3 \* O9 S
$ _% F: i' |! n$ xFab 5概況
: C; P& ^% I/ V% E7 z( R6 k大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層8 F6 R* M' p* W5 l
地上建築面積: 約38,000m2 % ]4 P) i+ J4 q% ^$ r, l0 \" }( z
總建築面積: 約187,000m2
* J" x* P% B+ C+ Q, N; l' c2 x開工時間: 一期:2010年7月
0 X1 Z" {. o# T7 }/ _+ O: u# a. ?8 O二期:2013年8月 / q J, p8 e5 R* n/ b! r- Y/ Q
完工時間: 一期:2011年5月 * y8 H! K7 {6 g. X: p
二期:2014年夏(目標)
1 n) f5 U' _: z* j) ^投產時間: 一期:2011年7月
. J8 s; h0 S7 I4 {$ H二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
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四日市業務部概況
: ~# h1 v" v% r! ^1 Z位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
3 ?. v1 J# `8 S, G" r成立時間: 1992年1月 6 R' K6 @3 x' }" X' ?" Z) R' e
總經理: Tomoharu Watanabe : Z# i' h( W7 ^1 j5 l
員工數量: 約5,200名
$ b+ \5 ^5 m* D7 E& @(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量) 4 t4 F/ c: \5 O# M- z; {0 S
場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
, V$ k+ E c; ]* m" g& V總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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