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東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。
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9 M2 c, Q1 j% m4 h. b& l- Y東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。
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四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。, P4 ^ f/ `* J/ U+ [. l
7 J/ d. [6 U7 d. C0 b展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
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: R# b7 u X1 L0 [" u$ ? IFab 5概況
+ a2 Q- T1 `9 i* X, ~9 @大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層( N5 v% W$ k4 o) ~7 R; `; L
地上建築面積: 約38,000m2 8 ^, ^$ T! L0 w$ H$ ?% A
總建築面積: 約187,000m2
6 d& `. c; J S; r) n' O7 A6 x! h8 |- a開工時間: 一期:2010年7月
, L1 V9 ]3 T0 O/ J6 H二期:2013年8月
, C, |" m( Q. N( O, A2 R: b完工時間: 一期:2011年5月 4 L( m; T3 L" }, w
二期:2014年夏(目標)
8 v5 C, d- \ t' w投產時間: 一期:2011年7月
% Q- P' ^0 V7 Z$ P' F( V9 U; O& ]8 S5 i二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型4 { w4 n+ w4 I3 `
8 B- G4 f: l6 N i" `; z5 o四日市業務部概況 ( Q: k( m5 r/ A4 W: H) E
位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture
* @" Y. K; z( Q1 ]# ] ^成立時間: 1992年1月 ' @: X0 D: K9 w
總經理: Tomoharu Watanabe
6 E. Z3 C9 H, S$ Z# T1 }員工數量: 約5,200名
4 ^9 }. m' a! O9 n h$ [# D! V(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
" v9 ~0 ~ H1 i場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
. A! K+ x' R+ _總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
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