新世代記憶體(Emerging Memory)，大家最看好哪兩種？

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7 E% a* {! y9 F# `9 L; V能夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體（RRAM）深具競爭潛力。
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* w) g' K% z2 K% Z4 T7 [: @【新竹訊】隨著可攜式產品的蓬勃發展及功能需求的提升，使得當前全球記憶體市場需求急速擴張，其中又以非揮發性記憶體（non-volatile memory）的快速成長最受關注。

  t! _& i2 o( J7 O6 d- E( {: f- J能 夠快速讀取的電阻式非揮發性記憶體（RRAM）深具競爭潛力，具備操作電壓低、快速啟動及讀取、結構簡單化、可多位元記憶、耐久性佳、記憶元件面積縮小及 非破壞性讀取等優勢，並且擁有低成本的競爭力，是目前唯一能與具備低成本競爭力的快閃記憶體對抗的非揮發性記憶體，RRAM若能商品化，會在不久的將來成 為革命性的記憶體。

工研院研發的高速非揮發性電阻式記憶體具有省電、存取速度快、儲存容量大等特點。在省電的特性上最低可達5微安培的電流及1.5V的低電壓；在存取速度方面只要使用0.3奈秒脈衝即可讓元件正常操作，遠優於一般快閃記憶體並可媲美SRAM。

此外，藉由多位階的操作，可達成每個記憶單元儲存2個bits，除了可有效提升儲存資料密度，也可縮小面積，降低成本，在200℃的溫度下，資料可儲存10年以上不流失等優異特點，潛在商機極大。

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富士通半導體推出全新小型封裝超低功耗16Kb FRAM可延長電池壽命並縮小產品面積

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2012年11月29日，臺北—香港商富士通半導體有限公司台灣分公司今日宣佈為其低功耗鐵電隨機存取記憶體(FRAM)系列再添超低功耗的SON-8小型封裝新品－MB85RC16。該系列產品可支援I2C介面，除原有的SOP-8標準封裝外，首次採用全新的SON-8封裝規格，以提供更持久的電池壽命和更小型化的終端產品，讓使用者有更佳的使用體驗。
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　　為了滿足可攜式電池供電和行動應用的低功耗需求，富士通為超低功耗FRAM的MB85RC16開發全新小型SON-8封裝規格。SON-8封裝 (3mm x 2mm)的占板面積可比現有的SOP-8封裝減少80%以上，更可同時縮小產品的體積和延長電池壽命，為客戶帶來極大的便利性。

　　

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相較於傳統的非揮發性記憶體，富士通的FRAM具備高速儲存、高耐久性和低功耗等優勢，適用於需要高可靠度的電表領域，以及需要持久電池壽命的可攜式醫療設備和可攜式量測設備。

MB85RC16不僅擁有16Kb FRAM、支援I2C介面等優勢，可消耗更少電流，而因可延長電池壽命。相較於其他競爭產品，無論是待機電流和操作電流均屬業界最低水準。尤其MB85RC16在待機模式下，平均電流僅0.1 uA，可有效延長可攜式測量設備的待機時間。此外，由於這款產品的運作電流很小，因此也適用於需要即時資料記錄的可攜式設備。相較於傳統的標準EEPROM，MB85RC16在寫入資料時，可降低98%的電流消耗。

對於可攜式的電池式供電設備而言，終端產品的尺寸及占板面積越來越小，因而帶動小型化產品的需求。富士通的FRAM產品已被廣泛應用於量測、工業設備和FA設備等各種領域的應用。