|
東芝在四日市啟動5號半導體製造廠二期建設
)東京--(美國商業資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天為Fab 5二期開工建設舉行了奠基儀式。Fab 5是東芝最先進的製造廠(晶圓廠),位於三重縣四日市業務部(Yokkaichi Operations)記憶體工廠內。' s# @4 Z, g* Q; L2 P; E9 H8 I4 I3 Q
( W1 Y/ }. S& H- y7 A9 f
東芝將對Fab 5進行擴充,以保證採用新一代製程技術打造的NAND快閃記憶體及3D記憶體的製造空間。該專案將於明年夏季完成,設備投資及生產水準將視市場動向而定。7 O, F1 W: B/ y P
! y/ J) x2 z7 r9 C3 Y$ r Q4 q
四日市業務部的三家晶圓廠目前正在量產NAND快閃記憶體,包括Fab 5一期。Fab 5計畫分兩期建造,其中一期專案已於2011年7月投入使用。在對產品供需平衡進行一番仔細衡量,發現智慧型手機、平板電腦和企業伺服器固態硬碟的需求強勁推動產品需求恢復後,東芝預計從中長期來看,市場會繼續擴張,並意識到現在正是擴充Fab 5的最佳時機。9 Q! V& Z* P3 H* V7 `( l; ^" f
" C0 z) y; p8 b
展望未來,東芝將利用其在先進製程技術領域的領導地位擴大業務,提高競爭力,並會開發新一代記憶體來滿足市場需求。
" F' D7 |6 b3 [1 q6 W( \( c7 c) s( Y8 _- }& {' f' Q
Fab 5概況
/ q5 q1 {/ s+ ^, k$ f大樓結構: 兩層鋼架混凝土結構,大樓共五層
2 ?8 M7 M0 T3 e地上建築面積: 約38,000m2
" z0 h/ O0 T; R/ F- {) C4 y總建築面積: 約187,000m2
! J" m7 J. ~, W開工時間: 一期:2010年7月 $ G$ y2 N: u- F
二期:2013年8月
# {1 F' w) [8 A! J6 X完工時間: 一期:2011年5月 0 p X6 o8 n, L, u+ R
二期:2014年夏(目標)8 ^8 ~3 S! b4 V5 E
投產時間: 一期:2011年7月 " B& m* N! z+ j* g* d5 D) j
二期:將於稍晚確定;主要計畫用於對現有晶圓容量進行技術轉型
, [6 }4 O) t: N8 q5 o, U- E* ^2 C
四日市業務部概況
; E+ G* [1 i! X8 Z/ G) G. i位置: 800, Yamanoisshiki-cho, Yokkaichi, Mie Prefecture ! y( C2 |. K. U" S) W7 V
成立時間: 1992年1月
6 P1 u! {1 \- _4 F/ m! u- S" L總經理: Tomoharu Watanabe
6 g, Y8 ~7 G \% G* D% I& M, `員工數量: 約5,200名
' ^% u9 r3 {1 \/ |+ w4 d. m(截至2013年3月底,東芝的正式員工數量)
; O2 a# c3 @' m' d5 U, {場地面積: 約436,800 m2 (包括Fab 5)
2 e7 k1 \0 q F/ p M$ M) v( B總建築面積: 約647,000m2 (包括Fab 5) |
|