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你的問題應該在上過 IC 製程的課後
1 o* l7 R+ k2 m$ _* N8 E( T& G4 ~就能得到解答
* U% d8 f) ]# p! n4 o以1P3M N -well PSUB 製程而言
5 K" t" M5 e- l+ h+ [CO 以上
( B( y7 H" W+ O6 |: `! yCO 用來連接 POLY OR OD 到 M1! L+ @* B) `# V& c% M: J, X& ]2 [) M
M1 第一層Metal 連線用
+ L% D/ c# p6 `) ? Via12 連接 M1 & M2 ,
/ v, t9 F$ P r: X) RM2第2層Metal 連線用
+ D# k1 D0 K4 Y) Y3 PVia 23 連接 M2 & M3 ,
9 N1 K" q# P' {9 m1 JM3 第3層Metal 連線用( a f0 _0 f; I* h+ g: N+ n* b
PAD 開window 讓bond 線 可以連接到M3% c. R7 g& t$ S
也就是可以連到 chip 內部
R4 ?- Y& l: w: z4 y. ~CO contact 連接 PO OR OD 到 M1 ㄉ通孔
7 Y' L t4 k7 Z: t叫 CO " G$ z$ z/ Z; b" K7 Q% E
via連接2層 METLA ㄉ 通孔 叫 via
( K, ^6 I4 P9 t" ~1 u/ K- xvia 12 也有人 叫 v17 D+ v/ j% O. j8 p8 J
via 23 也有人 叫 v2
/ P& j y: c3 Z c+ p. S同理可推 v3 v4 v5 ... ... 看你用幾層 metal ' e! `( b; ^1 `( s
有機會 再 來說 CO 以下 |
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