有個FLASH的問題

Nobody

因為 floating gate 電子越來越少   一點點的干擾就可引起讀取失敗
4 _' P$ W+ z4 C' o# O6 G8 h, V! ufloating gate 電容 ~  1fF  
一個準位的電壓 = 3v
Q=CV  = 1x10^-15 x 3 = 3x 10^-15
% ~3 q5 c* Q9 {+ `' I一個電子電荷 = 1.6 x 10 ^-19
% e; _4 u/ w7 P4 \/ Rfloating gate 上一個準位差別電子數只有 3x10^-15 / 1.6x10^-19 ~ 1.9 x10^4   個電子
8 F0 @: a3 H2 ?9 \% M; K" y( S如果偏移了 10%   , sense 可能就 failed   ,  
讀取限制在 100k 次  , 每讀取100次對 floating gate 的影響必需降到  1.9x10^4x0.1/10^3
1.9 個電子以下   , 你知道這是多少電流嗎 , 假設讀取 100 次時間= 100 us  
8 G  W" ^0 r$ S9 |  |' [, Hi= dQ/dt ~  1.9x1.6x10^-19 / (100 x10^-6)  ~   3 x 10 ^-14 A  = 0.03 pA  
1 N$ Y$ z$ V9 u- f" |' g# I. inand flash 的 read disturb 和data retention 問題 在越來越精細的製程只會越來越嚴重
2 ~# r; ]. z. ~# V4 c* ]只能靠ecc 和一些存取的限制來彌補
可參考 "nand 快閃記憶體" 曾德彰  科大文化出版 一書